【技术实现步骤摘要】
一种具有复合沟槽结构的碳化硅肖特基器件
本技术涉及到碳化硅肖特基器件，主要涉及一种具有复合沟槽结构的碳化硅肖特基器件。
技术介绍
碳化硅材料作为第三代半导体材料，作为宽禁带材料，其具有高击穿电场强度、高导热率、高饱和速度的特性，使碳化硅器件具有高压、高速高效的“三高”特点，使其成为发展的新选择。碳化硅肖特基器件属于单极器件，其反向恢复时间极短，可广泛应用于高频整流电路中，碳化硅肖特基器件具有低的正向饱和压降的特点，功耗低，被广泛应用。传统硅基肖特基器件，由于其反向工作电压的局限性，一般只能做300V以下的产品，使其应用范围受限；而碳化硅肖特基器件反向工作电压可以高达3300V，补充了肖特基器件的工作电压范围，即碳化硅肖特基器件扩展了肖特基器件的应用领域，使肖特基器件可以工作在更高的工作电压范围内。碳化硅肖特基器件在600V-1700V的工作范围内，与传统的硅基快恢复二极管重叠，但碳化硅肖特基器件较硅基快恢复二极管比，具有更快的工作频率、更小的功耗及小型化等优点，碳化硅肖特基器件在性能上完胜硅基快恢复二极管，使碳化硅肖特基器件...
【技术保护点】
1.一种具有复合沟槽结构的碳化硅肖特基器件，其特征在于结构包括：在重掺杂的碳化硅层N+上有一层低掺杂浓度的碳化硅外延层N-,N-外延层上有刻有沟槽，所有沟槽内的顶角、沟槽底及底角区域有通过注入掺杂形成的P型区，在沟槽顶角处形成顶角P型区（6），具有保护肖特基势垒结边缘效应作用，在沟槽底角与沟槽侧壁相接处形成第一个底角P型区（61）、在沟槽底部形成第二个底角P型区（62），第一个底角P型区（61）与第二个底角P型区（62）形成错位叠加结构，可通过多次侧壁绝缘层的错位保护层刻蚀，经过注入掺杂，形成多个底角错位叠加的复合底角P型区；所有沟槽侧壁有第一类薄绝缘层（81），器件无厚绝...
【技术特征摘要】
1.一种具有复合沟槽结构的碳化硅肖特基器件，其特征在于结构包括：在重掺杂的碳化硅层N+上有一层低掺杂浓度的碳化硅外延层N-,N-外延层上有刻有沟槽，所有沟槽内的顶角、沟槽底及底角区域有通过注入掺杂形成的P型区，在沟槽顶角处形成顶角P型区（6），具有保护肖特基势垒结边缘效应作用，在沟槽底角与沟槽侧壁相接处形成第一个底角P型区（61）、在沟槽底部形成第二个底角P型区（62），第一个底角P型区（61）与第二个底角P型区（62）形成错位叠加结构，可通过多次侧壁绝缘层的错位保护层刻蚀，经过注入掺杂，形成多个底角错位叠加的复合底角P型区；所有沟槽侧壁有第一类薄绝缘层（81），器件无厚绝缘层保护的中间区域为源区，源区内的沟槽侧壁只有第一类薄绝缘层（81）形成保护栅板，而源区外的沟槽侧壁在第一类薄绝缘层（81）外还有一层与第一类绝缘层为异质的绝缘层（83）和与第一类绝缘层为同质的绝...
【专利技术属性】
技术研发人员：关世瑛，王金秋，
申请(专利权)人：上海芯石半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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