【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板和显示装置
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及阵列基板、显示面板和显示装置。
技术介绍
平面显示器(F1atPane1Disp1ay,FPD)己成为市场上的主流产品,平面显示器的种类也越来越多,如液晶显示器(LiquidCrysta1Disp1ay,LCD)、有机发光二极管(OrganicLightEmittedDiode,OLED)显示器、等离子体显示面板(P1asmaDisp1ayPane1,PDP)及场发射显示器(FieldEmissionDisplay,FED)等。存储电容(capacitancestorage,即Cst)是显示背板设计不可或缺的单元,但现有技术制作的电容,会存在导致显示面板出现非正常显示的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板、显示面板和显示装置,以改善现有技术制作的电容,会存在导致显示面板出现非正常显示的问题。本专利技术实施例提供一种阵列基板,包括电容,所述电容包括依次位于衬底基板之上的第一电极、介质部和第二电极;其中,所述介质部 ...
【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括电容,所述电容包括依次位于衬底基板之上的第一电极、介质部和第二电极;其中,所述介质部包括:面向所述第二电极的第一平面,以及由所述第一平面向所述衬底基板延伸的第一坡面;所述第二电极在所述衬底基板的正投影仅位于所述介质部的所述第一平面在所述衬底基板的正投影所在区域内。/n
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括电容,所述电容包括依次位于衬底基板之上的第一电极、介质部和第二电极;其中,所述介质部包括:面向所述第二电极的第一平面,以及由所述第一平面向所述衬底基板延伸的第一坡面;所述第二电极在所述衬底基板的正投影仅位于所述介质部的所述第一平面在所述衬底基板的正投影所在区域内。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二电极包括:面向所述介质部的第二平面,以及与所述第二平面连接的第二坡面,所述第二坡面与所述第二平面形成的坡度角为锐角;
所述第二电极的所述第二平面在所述衬底基板的正投影仅位于所述介质部的所述第一平面在所述衬底基板的正投影所在区域内。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述介质部在所述衬底基板的正投影完全覆盖所述第一电极在所述衬底基板的正投影。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极包括:面向所述介质部的第三平面;所述第二电极的所述第二平面在所述衬底基板的正投影仅位于所述第一电极的所述第三平面在所述衬底基板的...
【专利技术属性】
技术研发人员:周炟,张陶然,莫再隆,李林宣,黄雯锦,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,成都京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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