一种薄膜晶体管基板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管基板及其制备方法，薄膜晶体管基板包括依次设置的基板层、遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层、源漏极层、钝化层和像素电极层，所述遮光层采用纳米核壳结构构成，所述纳米核壳结构包括纳米核和壳。本发明专利技术提供一种薄膜晶体管基板及其制备方法，采用核壳结构的纳米点作为遮光层，由于纳米核壳遮光层导电性差，不会与漏极产生电容耦合效应，可以省去为了将源极层和金属遮光层连接引入的两道黄光制程，从而减少了光罩的数量，降低了成本；另一方面，纳米核壳遮光层可以吸收短波光并将短波光转变为长波光，短波漏光不会在栅电极与遮光层之间来回反射，减少了漏光在有源层中多次反射造成的阈值电压负偏。

A thin film transistor substrate and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管基板及其制备方法
本专利技术涉及显示面板
，特别涉及一种薄膜晶体管基板及其制备方法。
技术介绍
有源矩阵有机发光二极管(Active-matrixorganiclight-emittingdiode，AMOLED)技术是面板行业的发展趋势，相比LCD而言，OLED具有结构简化，色域更广，响应时间更快等优点。在AMOLED的像素设计中，一般采用顶栅自对准型非晶氧化物TFT构成的像素电路来驱动OLED发光，但由于非晶氧化物对短波光非常敏感，器件的阈值电压会在光照的作用下减小，从而严重影响OLED的发光强度，因此制作背板时会先沉积金属遮光层保护TFT器件不受底部环境光影响。图1所示为现有技术中薄膜晶体管基板的结构示意图，薄膜晶体管基板包括依次设置的基板层100、金属遮光层11、缓冲层12、有源层13、栅极绝缘层14、栅极层15、层间介质层16、漏极171、源极172、钝化层18和像素电极层19，由于金属遮光层11不吸收短波光，所以短波漏光会在栅极层15和金属遮光层11之间来回反射，造成的阈值电压负偏。<br>另外，为避免金本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管基板，包括依次设置的基板层、遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层、源漏极层、钝化层和像素电极层，其特征在于，所述遮光层采用纳米核壳结构构成，所述纳米核壳结构包括纳米核和壳。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管基板，包括依次设置的基板层、遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层、源漏极层、钝化层和像素电极层，其特征在于，所述遮光层采用纳米核壳结构构成，所述纳米核壳结构包括纳米核和壳。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述纳米核为窄禁带半导体材料，所述壳为绝缘介质材料。


3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述纳米核带隙小于2.5eV，所述纳米核的直径范围为5-1000nm。


4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述纳米核采用的材料包括砷化铟、磷化铟中的一种。


5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述壳采用的材料包括氧化硅、氧化铝中的一种。


6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述壳的厚度范围为3-200nm。


7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：张乐陶，张良芬，张晓星，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44