阵列基板和显示面板制造技术

本申请实施例公开了一种阵列基板和显示面板，其中，该阵列基板上具有标记组、屏幕标识和银胶点，所述标记组与所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第一预定值，所述银胶点包括金属图案层和透明导电图案层，所述金属图案层与所述标识组、所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第二预定值，所述透明导电图案层覆盖所述金属图案层和至少一部分标记组。本方案可以节省阵列基板的空间，进而有效节省手机屏幕下边框的空间。

Array base plate and display panel

【技术实现步骤摘要】
阵列基板和显示面板
本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(Thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay，TFT-LCD)是目前广泛应用的手机屏幕。其主要由阵列基板、彩膜基板、液晶、偏光片、背光等部分组成。其中，银胶是导通彩膜基板背面导电层和阵列基板接地走线的材料，用来导走彩膜基板侧的电荷，在阵列基板侧用来与银胶接触的图案称为银胶点。随着全面屏技术的发展，人们对手机屏幕尺寸的占比率需求越来越高，因此手机屏幕的下边框的尺寸也越来越小，并且加入了倒角。然而由于阵列基板侧的银胶点需要与彩膜基板侧的银胶保持足够的接触面积，因此银胶点需要保持较大的占用面积，占用手机屏幕的下边框空间较大。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种阵列基板和显示面板，可以节省阵列基板的空间，进而有效节省手机屏幕下边框的空间。第一方面，本申请实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板上具有标记组、屏幕标识和银胶点，所述标记组与所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第一预定值，所述银胶点包括金属图案层和透明导电图案层，所述金属图案层与所述标识组、所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第二预定值，所述透明导电图案层覆盖所述金属图案层和至少一部分标记组。在本申请实施例提供的阵列基板中，所述标记组包括后段制程标记、对组标记、整体偏移标记和关键尺寸测试键，所述透明导电图案层覆盖所述后段制程标记、对组标记、整体偏移标记和关键尺寸测试键中的至少一个。在本申请实施例提供的阵列基板中，所述透明导电图案层与所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第三预定值，或覆盖所述屏幕标识的至少一部分。在本申请实施例提供的阵列基板中，所述透明导电图案层的形状为倒梯形。在本申请实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板包括衬底层和依次形成于所述衬底层上的薄膜晶体管层、平坦化层、第一氧化铟锡层、钝化层和第二氧化铟锡层。在本申请实施例提供的阵列基板中，所述薄膜晶体管层包括依次层叠设置的半导体层、第一绝缘层、介电层和源漏极层；所述衬底层包括依次层叠设置的衬底、遮光层和缓冲层。在本申请实施例提供的阵列基板中，所述源漏极层包括第一分层、第二分层和第三分层，所述源漏极层上具有围绕所述第二分层的外侧设置的通槽；所述钝化层上具有暴露所述第一分层的第一过孔，所述第二氧化铟锡层通过所述第二过孔与所述第一分层电连接；所述钝化层上具有至少两个暴露所述第二分层且间隔设置的第二过孔，所述第二过孔围绕所述第二分层的内侧设置。在本申请实施例提供的阵列基板中，所述金属图案层由所述钝化层、所述第二分层、所述通槽和所述第二过孔组成；所述透明导电图案层为所述第二氧化铟锡层。在本申请实施例提供的阵列基板中，所述关键尺寸测试键由所述半导体层、所述第一分层、所述第一氧化铟锡层和所述第一过孔组成；所述后段制程标记由所述第一分层组成；所述对组标记由所述遮光层组成；所述整体偏移标记由所述第三分层组成。在本申请实施例提供的阵列基板中，所述屏幕标识由所述半导体层或所述遮光层组成。第二方面，本申请实施例提供了一种显示面板，其包括上述的阵列基板。由上，本申请实施例提供的阵列基板具有标记组、屏幕标识和银胶点，所述标记组与所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第一预定值，所述银胶点包括金属图案层和透明导电图案层，所述金属图案层与所述标识组、所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第二预定值，所述透明导电图案层覆盖所述金属图案层和至少一部分标记组。本方案可以节省阵列基板的空间，从而有效节省手机屏幕下边框的空间。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图。图2是本申请实施例提供的阵列基板的另一结构示意图。图3是本申请实施例提供的图2或图3在A-A’线处的截面图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本申请实施例提供了一种阵列基板和显示面板，以下将分别进行详细说明。请参阅图1，图1是本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图。该阵列基板100上具有标记组1、屏幕标识(ChipID/PanelID)2和银胶点3。其中，该标记组1可以包括后段制程标记(Back-End-Of-LineMark)101、对组标记(MonitoringAccuracyMark)102、整体偏移标记(TotalPitchMark)103和关键尺寸测试键(PixelCrucialDimensionTestKey)104。需要说明的是，该后段制程标记101可以为后段制程工艺时的对位标记。该对组标记102可以为该阵列基板100与彩膜基板对组成盒时的对组精度标记。该整体偏移标记103可以用于监控该阵列基板100的整体偏移。该关键尺寸测试键104可以用于监控该阵列基板100中的走线以及通孔的关键尺寸。其中，该屏幕标识2可以用于记录该阵列基板100的编号。需要说明的是，该屏幕标识2与标记组1之间的间隔小于或等于第一预定值。即是，该屏幕标识2不与后段制程标记101、对组标记102、整体偏移标记103和关键尺寸测试键104相接触。其中，银胶点3可以包括金属图案层301和透明导电图案层302。可以理解的是，该透明导电图案层302覆盖金属图案层301。其中，该金属图案层301与标记组1、屏幕标识2之间的间隔小于或等于第二预定值。即是，该金属图案层301不与屏幕标识2、后段制程标记101、对组标记102、整体偏移标记103和关键尺寸测试键104相接触。可以理解的是，由于手机屏幕主要由阵列基板、彩膜基板、液晶、偏光片、背光等部分组成。因此，阵列基板中的器件所占用的空间越小，节省的阵列基板的空间越大，节省的手机屏幕下边框空间越大，因此，手机屏幕的下边框尺寸可以约小。为了保证银胶点3在满足需求面积的前提下，可以有效节省手机屏幕下边框空间。在一些实施例中，可以将该银胶点3的金属图案层301的面积缩小，并根据手机屏幕下边框的倒角轮廓将该透明导电图案层302的形状调整为倒梯形，使得该透明导电图案层302覆盖至少一部分标记组1。即是，该透明导电图案层302覆盖后段制程标记101、对组标记102、整体偏移标记103和关键尺寸测试键104中的至少一个。优选的，该透明导电图案层302覆盖后段制程标记101、对组标记102、整体偏移标记103和关键尺寸测试键1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上具有标记组、屏幕标识和银胶点，所述标记组与所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第一预定值，所述银胶点包括金属图案层和透明导电图案层，所述金属图案层与所述标识组、所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第二预定值，所述透明导电图案层覆盖所述金属图案层和至少一部分标记组。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上具有标记组、屏幕标识和银胶点，所述标记组与所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第一预定值，所述银胶点包括金属图案层和透明导电图案层，所述金属图案层与所述标识组、所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第二预定值，所述透明导电图案层覆盖所述金属图案层和至少一部分标记组。


2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述标记组包括后段制程标记、对组标记、整体偏移标记和关键尺寸测试键，所述透明导电图案层覆盖所述后段制程标记、对组标记、整体偏移标记和关键尺寸测试键中的至少一个。


3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电图案层与所述屏幕标识之间的间隔小于或等于第三预定值，或覆盖所述屏幕标识的至少一部分。


4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电图案层的形状为倒梯形。


5.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底层和依次形成于所述衬底层上的薄膜晶体管层、平坦化层、第一氧化铟锡层、钝化层和第二氧化铟锡层。


6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括依次层叠设置的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨跃骅，张启沛，李彦阳，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42