【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管基板和薄膜晶体管基板的制造方法
本专利技术涉及薄膜晶体管基板和薄膜晶体管基板的制造方法。
技术介绍
以往，作为液晶显示装置所具备的薄膜晶体管基板的一例，已知下述专利文献1所记载的薄膜晶体管基板。该专利文献1所记载的薄膜晶体管基板在基板上的像素区域中依次层叠透明氧化物层、绝缘膜、导电层，上述导电层具有与栅极信号线连接的薄膜晶体管的栅极电极，上述透明氧化物层的至少除了上述栅极电极的正下方的沟道区域部以外的其它区域被导电体化，由该导电体化的部分构成了源极信号线、连接到该源极信号线的上述薄膜晶体管的源极区域部、像素电极、连接到该像素电极的上述薄膜晶体管的漏极区域部。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2008-175842号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在上述专利文献1所记载的薄膜晶体管基板中，记载了通过对在透明氧化物层上直接形成的金属膜进行蚀刻从而形成源极信号线的构成。但是，在该构成中，若在对透明氧化物层上的金属膜进行蚀刻时产生膜残留，则有可能...
【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，具备：/n半导体膜；/n第1绝缘膜，其配置于上述半导体膜的上层侧；/n第1金属膜，其配置于上述第1绝缘膜的上层侧；/n第2绝缘膜，其配置于上述第1金属膜的上层侧；/n第2金属膜，其配置于上述第2绝缘膜的上层侧；/n源极配线，其包括上述第2金属膜；/n栅极电极，其构成薄膜晶体管，包括上述第1金属膜；/n沟道区域，其构成上述薄膜晶体管，包括上述半导体膜的一部分，以与上述栅极电极重叠的方式配置；/n源极区域，其构成上述薄膜晶体管，是将上述半导体膜的一部分低电阻化而成的，与上述沟道区域相连，并且通过至少在上述第2绝缘膜开口形成的接触孔连接到上述源...
【技术特征摘要】
20180726 US 62/703,4531.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，具备：
半导体膜；
第1绝缘膜，其配置于上述半导体膜的上层侧；
第1金属膜，其配置于上述第1绝缘膜的上层侧；
第2绝缘膜，其配置于上述第1金属膜的上层侧；
第2金属膜，其配置于上述第2绝缘膜的上层侧；
源极配线，其包括上述第2金属膜；
栅极电极，其构成薄膜晶体管，包括上述第1金属膜；
沟道区域，其构成上述薄膜晶体管，包括上述半导体膜的一部分，以与上述栅极电极重叠的方式配置；
源极区域，其构成上述薄膜晶体管，是将上述半导体膜的一部分低电阻化而成的，与上述沟道区域相连，并且通过至少在上述第2绝缘膜开口形成的接触孔连接到上述源极配线；
漏极区域，其构成上述薄膜晶体管，是将上述半导体膜的一部分低电阻化而成的，从与上述源极区域侧相反的一侧与上述沟道区域相连；以及
像素电极，其是将上述半导体膜的一部分低电阻化而成的，与上述漏极区域相连。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，具备：
下层侧绝缘膜，其配置于上述半导体膜的下层侧；
下层侧金属膜，其配置于上述下层侧绝缘膜的下层侧；以及
遮光部，其包括上述下层侧金属膜，以至少与上述沟道区域重叠的方式配置。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，
上述遮光部被设为下层侧栅极电极。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，具备：
电极间连接部，其包括上述第2金属膜，通过在上述第2绝缘膜开口形成的第1电极间接触孔和至少在上述下层侧绝缘膜及上述第2绝缘膜开口形成的第2电极间接触孔分别连接到上述栅极电极和上述下层侧栅极电极；以及
栅极配线，其包括上述下层侧金属膜，与上述下层侧栅极电极相连。
5.根据权利要求1至权利要求3中的任意一项所述的薄膜晶体管基板，
具备栅极配线，上述栅极配线包括上述第1金属膜，与上述栅极电极相连。
6.根据权利要求1至权利要求4中的任意一项所述的薄膜晶体管基板，
具备辅助源极配线，上述辅助源极配线是将上述半导体膜的一部分低电阻化而成的，与上述源极区域相连，并且以至少一部分与上述源极配线重叠的方式配置。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板，
...
【专利技术属性】
技术研发人员：原健吾，大东彻，今井元，菊池哲郎，铃木正彦，西宫节治，上田辉幸，山中昌光，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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