气体供给系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种气体供给系统，用于给用气组件供气，包括：厂务气源和备用气源，厂务气源通过管路连接用气组件；备用气源与厂务气源并联设置，备用气源被配置为在厂务气源异常时为用气组件供气。上述的气体供给系统包括备用气源，备用气源能够在厂务气源出现异常时为用气组件供气，以确保用气组件在厂务气源出现异常后仍然能够稳定工作。上述的气体供给系统应用于激光退火工艺能够保证用气组件稳定吸附硅片，避免硅片掉落，从而可以确保硅片传输安全可靠，有利于提高激光退火工艺效率，节约激光退火工艺成本。

Gas supply system

【技术实现步骤摘要】
气体供给系统
本技术涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种气体供给系统。
技术介绍
激光退火工艺相对于传统退火工艺具有激活率高、对器件损伤小等优点，在绝缘栅双极型晶体管、薄膜晶体管及图像传感器等制造领域逐步替代传统退火工艺。激光退火设备的工件台采用无引脚方式吸附硅片，因此，一般采用正压吸附装置从硅片上表面吸附硅片进行硅片传输，正压吸附装置由厂务气源提供正压。然而，该种吸附方式容易受厂务气源异常断气影响，使得硅片传输存在安全隐患，一旦厂务气源出现异常断气，正压吸附装置则无法再吸附硅片，硅片将会掉落甚至会因掉落发生破碎，影响激光退火的工艺成本及效率。
技术实现思路
本技术的目的在于提出一种气体供给系统，能够确保硅片传输安全可靠，有利于提高激光退火工艺效率，节约激光退火工艺成本。为达此目的，一方面，本技术采用以下技术方案：一种气体供给系统，用于给用气组件供气，包括：厂务气源，所述厂务气源通过管路连接用气组件；备用气源，与所述厂务气源并联设置，所述备用气源被配置为在所述厂务气源异常时为所述用气组件供气。...

【技术保护点】
1.一种气体供给系统，用于给用气组件(10)供气，其特征在于，包括：/n厂务气源(20)，所述厂务气源(20)通过管路(40)连接用气组件(10)；/n备用气源(30)，与所述厂务气源(20)并联设置，所述备用气源(30)被配置为在所述厂务气源(20)异常时为所述用气组件(10)供气。/n

【技术特征摘要】
1.一种气体供给系统，用于给用气组件(10)供气，其特征在于，包括：
厂务气源(20)，所述厂务气源(20)通过管路(40)连接用气组件(10)；
备用气源(30)，与所述厂务气源(20)并联设置，所述备用气源(30)被配置为在所述厂务气源(20)异常时为所述用气组件(10)供气。


2.根据权利要求1所述的气体供给系统，其特征在于，还包括：第一压力传感器(41)，所述第一压力传感器(41)设置在所述厂务气源(20)和所述用气组件(10)之间的管路(40)上，用于检测所述厂务气源(20)的供气压力。


3.根据权利要求1所述的气体供给系统，其特征在于，所述备用气源(30)的稳定供气时长至少为30s。


4.根据权利要求1所述的气体供给系统，其特征在于，所述用气组件(10)被配置为从工件上方吸附所述工件，且所述用气组件(10)能够在所述厂务气源(20)出现异常后携带所述工件进行180°翻转。


5.根据权利要求4所述的气体供给系统，其特征在于，所述用气组件(10)被配置为在预设翻转工位携带所述工件进行180°翻转，所述预设翻转工位为翻转过程中所述用气组件(10)和所述工件与其它设备组件不会发生干涉的位置。


6.根据权利要求1所述的气体供给系统，其特征在于，还包括：第一单向阀(42)和第二单向阀(43)，所述第一单向阀(42)设置在所述厂务气源(20)和所述用气组件(10)之间的管路(40)上，所述第二单向阀(43)设置在所述备用气源(30)和所述用气组件(10)之间的管路(40)上。


7.根据权利要求6所述的气体供给系统，其特征在于，厂务气源(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘凯，董洪波，王刚，张向飞，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31