一种阵列基板、其检测方法、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板、其检测方法、显示面板及显示装置，在任意一像素单元内的缓冲层、有源层、ITO等工艺过程中产生Particle导致short不良时，可通过激光熔融的方式使与该发生short不良的异常像素单元相邻且发光颜色相同的正常像素单元内的第一延伸部与该异常像素单元内的第二延伸部电连接，即使异常像素单元内的阳极与正常像素单元内的阳极电连接，从而通过正常像素单元驱动异常像素单元正常发光，可以将亮点和暗点像素单元维修成正常的像素单元，提升画面的显示效果，并且本发明专利技术只需要改变遮光部和阳极的构图工艺，不需要增加其它工艺和膜层，实现维修异常像素单元的工艺较简单。

An array substrate, its detection method, display panel and display device

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、其检测方法、显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板、其检测方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)是当今平板显示器研究领域的热点之一，与液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)相比，OLED显示器具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点。目前，在手机、平板电脑、数码相机等显示领域，OLED显示器已经开始取代传统的LCD显示器。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种阵列基板、其检测方法、显示面板及显示装置，用以解决现有技术中像素由于Particle异物导致的short不良，进而导致点灯画面显示亮点或暗点不良，严重影响画面品质的问题。因此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括呈阵列分布的多个像素单元，每一所述像素单元包括位于衬底基板上层叠设置的遮光部、薄膜晶体管以及与所述遮光部电连接的阳极；其中，在任意一个所述像素单元内，所述遮光部具有向其中一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第一延伸部，所述阳极具有向另一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第二延伸部；在相邻且发光颜色相同的两个所述像素单元内，其中一个所述像素单元内的第一延伸部和另一个所述像素单元内的第二延伸部在所述衬底基板上的正投影具有交叠区域，且所述第一延伸部和所述第二延伸部相互绝缘。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述薄膜晶体管和所述阳极之间的钝化层，以及位于所述钝化层和所述阳极之间的平坦化层；所述第二延伸部通过贯穿所述平坦化层的第一过孔与所述钝化层接触。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述钝化层与所述平坦化层之间的色阻层，所述色阻层与所述交叠区域不重叠。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述遮光部与所述薄膜晶体管之间的缓冲层，位于所述缓冲层与所述钝化层之间的层间绝缘层，以及位于所述钝化层与所述第一延伸部之间的搭接部；所述搭接部通过贯穿所述缓冲层和所述层间绝缘层的第二过孔与所述第一延伸部电连接，所述搭接部和所述第二延伸部在所述衬底基板上的正投影具有交叠区域。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述搭接部与所述薄膜晶体管的漏极同层设置。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，在每一所述像素单元内，所述阳极通过贯穿所述钝化层的第三过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接，所述薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述层间绝缘层和所述缓冲层的第四过孔与所述遮光部电连接。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，包括本专利技术实施例提供的上述任一阵列基板。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述显示面板。相应地，本专利技术实施例还提供了一种阵列基板的检测方法，包括：在点灯测试阶段，若存在异常像素单元，则通过激光熔融的方式使与所述异常像素单元相邻且发光颜色相同的正常像素单元内的第一延伸部与所述异常像素单元内的第二延伸部电连接，以使所述正常像素单元内的阳极与所述异常像素单元内的阳极导通。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述检测方法中，在激光熔融所述交叠区域对应的钝化层之前，还包括：采用激光熔融所述薄膜晶体管的有源层，以断开所述薄膜晶体管。本专利技术实施例的有益效果包括：本专利技术实施例提供的阵列基板、其检测方法、显示面板及显示装置，本专利技术通过在任意一个像素单元内，将遮光部设置具有向其中一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第一延伸部，将阳极设置具有向另一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第二延伸部；在相邻且发光颜色相同的两个像素单元内，其中一个像素单元内的第一延伸部和另一个像素单元内的第二延伸部在衬底基板上的正投影具有交叠区域，且第一延伸部和第二延伸部相互绝缘。这样在任意一像素单元内的缓冲层、有源层、ITO等工艺过程中产生Particle导致short不良时，可通过激光熔融的方式使与该发生short不良的异常像素单元相邻且发光颜色相同的正常像素单元内的第一延伸部与该异常像素单元内的第二延伸部电连接，即使异常像素单元内的阳极与正常像素单元内的阳极电连接，从而通过正常像素单元驱动异常像素单元正常发光，可以将亮点和暗点像素单元维修成正常的像素单元，提升画面的显示效果，并且本专利技术只需要改变遮光部和阳极的构图工艺，不需要增加其它工艺和膜层，实现维修异常像素单元的工艺较简单。附图说明图1为相关技术中阵列基板的俯视结构示意图；图2为图1所示的阵列基板发生像素发光异常的示意图；图3为本专利技术实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图之一；图4为图3所示的阵列基板的俯视结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图之二；图6A-图6D为本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法在执行每一步骤之后的剖面结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的阵列基板中每一像素单元的电容结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本专利技术实施例提供的阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。附图中各层薄膜厚度和形状不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。相关技术中，如图1所示，OLED的阵列基板包括位于衬底基板上的遮光部01、缓冲层02、栅极层03、有源层04、源漏电极层05和阳极层06，目前在Array工艺制备上述膜层过程中，Buffer(缓冲层01)、IGZO(有源层04)、ITO(阳极层06)等工艺中由于Particle类异物容易导致IGZO-Gate/SD或ITO-EL电极之间的short类不良，如图1中的黑点位置处；在进行点灯测试时，如图2所示，导致点灯画面显示亮点或暗点不良，严重影响画面品质。在上述Array、面板修复过程中，目前仅能将可见的线不良和亮点不良进行暗点化处理，无法维修成OK状态；在存在较多线不良和亮点不良时，即使能够维修，也会影响画面的显示效果(面板报废标准：暗点>10颗，亮点>0颗，线>0条)，导致面板报废处理。有鉴于此，本专利技术实施例提供的阵列基板，如图3和图4所示，图3为本专利技术实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图，图4为图3所示的阵列基板的俯视结构示意图，包括呈阵列分布的多个像素单元，每一像素单元包括位于衬底基板1上层叠设置的遮光部2、薄膜晶体管3以及与遮光部2电连接的阳极4；其中，在任意一个像素单元内，遮光部2具有向其中一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第一延伸部21，阳极4具有向另一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第二延伸部41；在相邻且发光颜色相同的两个像素单元内，其中一个像素单元内的第一延伸部21和另一个像素单元内的第二延伸部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括呈阵列分布的多个像素单元，每一所述像素单元包括位于衬底基板上层叠设置的遮光部、薄膜晶体管以及与所述遮光部电连接的阳极；其中，/n在任意一个所述像素单元内，所述遮光部具有向其中一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第一延伸部，所述阳极具有向另一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第二延伸部；/n在相邻且发光颜色相同的两个所述像素单元内，其中一个所述像素单元内的第一延伸部和另一个所述像素单元内的第二延伸部在所述衬底基板上的正投影具有交叠区域，且所述第一延伸部和所述第二延伸部相互绝缘。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括呈阵列分布的多个像素单元，每一所述像素单元包括位于衬底基板上层叠设置的遮光部、薄膜晶体管以及与所述遮光部电连接的阳极；其中，
在任意一个所述像素单元内，所述遮光部具有向其中一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第一延伸部，所述阳极具有向另一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第二延伸部；
在相邻且发光颜色相同的两个所述像素单元内，其中一个所述像素单元内的第一延伸部和另一个所述像素单元内的第二延伸部在所述衬底基板上的正投影具有交叠区域，且所述第一延伸部和所述第二延伸部相互绝缘。


2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述薄膜晶体管和所述阳极之间的钝化层，以及位于所述钝化层和所述阳极之间的平坦化层；所述第二延伸部通过贯穿所述平坦化层的第一过孔与所述钝化层接触。


3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述钝化层与所述平坦化层之间的色阻层，所述色阻层与所述交叠区域不重叠。


4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述遮光部与所述薄膜晶体管之间的缓冲层，位于所述缓冲层与所述钝化层之间的层间绝缘层，以及位于所述钝化层与所述第一延伸部之间的搭接部；
所述搭接部通过贯穿所述缓冲层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海涛，王庆贺，李广耀，刘军，宋威，汪军，王东方，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11