半导体封装件和方法技术

在实施例中，一种方法包括：在管芯上方形成第一介电层，第一介电层包括光敏材料；固化第一介电层以降低第一介电层的光敏性；通过蚀刻图案化第一介电层以形成第一开口；在第一介电层的第一开口中形成第一金属化图案；在第一金属化图案和第一介电层上方形成第二介电层，第二介电层包括光敏材料；通过曝光和显影来图案化第二介电层以形成第二开口；以及在第二介电层的第二开口中形成第二金属化图案，第二金属化图案电连接至第一金属化图案。本发明专利技术实施例涉及半导体封装件和方法。

Semiconductor packages and methods

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件和方法
本专利技术实施例涉及半导体封装件和方法。
技术介绍
由于许多电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断提高，半导体产业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的改进是由最小部件尺寸的反复减小引起的，这允许将更多的组件集成到给定区域中。随着对缩小的电子器件的需求的增长，已经出现了对更小且更具创造性的半导体管芯封装技术的需求。这种封装系统的实例是叠层封装(PoP)技术。在PoP器件中，在底部半导体封装件的顶部上堆叠顶部半导体封装件以提供高水平的集成和组件密度。PoP技术通常使得能够在印刷电路板(PCB)上产生具有增强的功能和小的覆盖面积的半导体器件。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供了一种形成半导体封装件的方法，包括：在管芯上方形成第一介电层，所述第一介电层包括光敏材料；固化所述第一介电层以降低所述第一介电层的光敏性；通过蚀刻来图案化所述第一介电层以形成第一开口；在所述第一介电层的第一开口中形成第一金属化图案；在所述第一金属化图案和所述第一介电层上方形成第二介电层，所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成半导体封装件的方法，包括：/n在管芯上方形成第一介电层，所述第一介电层包括光敏材料；/n固化所述第一介电层以降低所述第一介电层的光敏性；/n通过蚀刻来图案化所述第一介电层以形成第一开口；/n在所述第一介电层的第一开口中形成第一金属化图案；/n在所述第一金属化图案和所述第一介电层上方形成第二介电层，所述第二介电层包括光敏材料；/n通过曝光和显影来图案化所述第二介电层以形成第二开口；以及/n在所述第二介电层的第二开口中形成第二金属化图案，所述第二金属化图案电连接至所述第一金属化图案。/n

【技术特征摘要】
20180801 US 16/052,3341.一种形成半导体封装件的方法，包括：
在管芯上方形成第一介电层，所述第一介电层包括光敏材料；
固化所述第一介电层以降低所述第一介电层的光敏性；
通过蚀刻来图案化所述第一介电层以形成第一开口；
在所述第一介电层的第一开口中形成第一金属化图案；
在所述第一金属化图案和所述第一介电层上方形成第二介电层，所述第二介电层包括光敏材料；
通过曝光和显影来图案化所述第二介电层以形成第二开口；以及
在所述第二介电层的第二开口中形成第二金属化图案，所述第二金属化图案电连接至所述第一金属化图案。


2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
将所述管芯和贯通孔密封在模塑料中；以及
平坦化所述模塑料，从而使得所述管芯、所述贯通孔和所述模塑料的顶面齐平，
其中，在所述管芯、所述贯通孔和所述模塑料的顶面上形成所述第一介电层。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，图案化所述第一介电层包括：
形成与所述第一介电层接触的第一光刻胶；
用第一图案图案化所述第一光刻胶；以及
通过第一蚀刻工艺将所述第一图案从所述第一光刻胶转印至所述第一介电层。


4.根据权利要求3所述的方法，其中，图案化所述第一介电层包括：
利用等离子体蚀刻工艺蚀刻所述第一介电层，使用包括以从6：1至8：1的比率的O2和CF4的前体实施所述等离子体蚀刻工艺。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，图案化所述第一介电层包括：
形成与所述第一介电层接触的第一金属层；
形成与所述第一金属层接触的第一光刻胶；
利用第一图案图案化所述第一光刻胶；
通过第一蚀刻工艺将所述第一图案从所述第一光刻胶转印至所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭宏瑞，谢昀蓁，蔡惠榕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71