功率MOSFET器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种功率MOSFET器件及其制造方法，步骤为：在N+Sub上生长外延层N‑epi；生长场氧化层，在有源区刻蚀场氧化层，在终端区注入P+并退火；在有源区生长屏蔽氧化层，注入杂质磷形成JFET区；在外延层生长牺牲氧化层并腐蚀，热氧化生长栅氧化层；在栅氧化层之上淀积多晶硅并刻蚀；在栅氧化层和多晶硅上注入Boron离子形成自对准的P阱；对PW进行热氧化推结；N+注入，形成自对准的源极N+区；N+退火处理；淀积LPSIN并进行源极P+高能注入；层间介质ILD淀积；接触孔刻蚀，Ti/TiN淀积；正面金属淀积并刻蚀；衬底减薄，背面注入，背面金属淀积，合金化，形成完整器件结构。本发明专利技术将closed结构改为open结构，采用LPSIN掩蔽的源极P+注入，提高了器件的通流能力。

Power MOSFET device and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
功率MOSFET器件及其制造方法
本专利技术属于半导体功率器件
，具体涉及一种功率MOSFET器件及其制造方法。
技术介绍
功率MOSFET（MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor），金属氧化物半导体场效应晶体管，是目前市场最为常见的功率半导体器件之一，功率MOSFET通常采用纵向的垂直结构，其源极和漏极在晶圆片两个相对的平面，从而可以流过大的电流和具有高的电压。功率MOSFET具有很低的栅极驱动功率，较快的开关速度和优异的热稳定性，以及良好的并联工作能力。除以上优点外，功率MOSFET的主要缺点为为其导通电阻较高，因为对于高压器件，其具有一电阻率高的N-漂移区所致，如减薄这层漂移区的厚度或者减少其电阻率，则产品的耐压会急剧下降。此外，功率MOSFET结构中还存在有一纵向的NPN结构，器件在实际工作中要避免该NPN管开启，该NPN开启会导致器件不再受栅极控制，引起电流集中，甚至导致器件产生不可逆的损坏。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种功率MOSFET器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.功率MOSFET器件的制造方法，其特征在于：/n所述方法包括以下步骤：/n步骤1：选取N+ Sub作为制作VDMOS外延层的衬底片；/n步骤2：在所选取的N+ Sub上面生长外延层N-epi；/n步骤3：在所生长的N-epi外延层上部生长一层场氧化层，并在器件有源区刻蚀场氧化层，在终端区注入P+并退火；/n步骤4：在器件有源区生长一层屏蔽氧化层，之后注入杂质磷形成JFET区；/n步骤5：在外延层上表面生长牺牲氧化层并腐蚀，之后热氧化生长栅氧化层；/n步骤6：在栅氧化层之上淀积多晶硅并刻蚀形成多晶栅极；/n步骤7：在栅氧化层和多晶硅的上表面注入Boron离子形成自对准的P阱；/n步骤8：对P...

【技术特征摘要】
1.功率MOSFET器件的制造方法，其特征在于：
所述方法包括以下步骤：
步骤1：选取N+Sub作为制作VDMOS外延层的衬底片；
步骤2：在所选取的N+Sub上面生长外延层N-epi；
步骤3：在所生长的N-epi外延层上部生长一层场氧化层，并在器件有源区刻蚀场氧化层，在终端区注入P+并退火；
步骤4：在器件有源区生长一层屏蔽氧化层，之后注入杂质磷形成JFET区；
步骤5：在外延层上表面生长牺牲氧化层并腐蚀，之后热氧化生长栅氧化层；
步骤6：在栅氧化层之上淀积多晶硅并刻蚀形成多晶栅极；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：张军亮，刘琦，张园园，徐西昌，
申请(专利权)人：龙腾半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61