【技术实现步骤摘要】
超结MOSFET结构及其制造方法
本专利技术涉及一种车体表面防护附件,具体涉及一种超结MOSFET结构及其制造方法。
技术介绍
传统功率VDMOS器件的导通电阻和击穿电压存在2.5次方的关系,这种关系被人们称为“硅限”,这种“极限”是器件功耗进一步降低的瓶颈。为了突破硅限,器件理论提出了超结结构,超结结构其耐压层由构成超结层的P柱与N柱交叠周期排列,在横向上N柱与P柱需满足电荷平衡,当超结层全部耗尽时,其扮演着类似PIN结构的支撑电压层的角色。如果电压进一步升高,电场就会在空间电荷层没有进一步扩展的情况下线性的增强,这使得可以在耐压相同的基础上,将漂移区中n型柱状半导体的浓度做的比传统功率MOSFET的漂移区的浓度高。但如果漂移区浓度过大,会导致器件反偏时超结结构中P柱和N柱之间很难横向耗尽,横向的电场强度增大,从而影响器件的击穿电压。因此为了在保证耐压的基础上,提高器件的功率密度,提升效率,就必须使横向的P柱及N柱尺寸尽可能缩减。目前,随着超结技术的发展,元胞尺寸的不断降低,功率密度在不断提升,开关速度在加快。但功率MOSFET作为功率开关管,由于工作在on-off的快速循环转换的状态,其电压电流都在急剧变化,是电场耦合和磁场耦合的主要干扰源,是开关电源等电路EMI的主要来源之一。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种超结MOSFET结构及其制造方法,在保障耐压及功率密度提升的基础上,通过优化的电容特性降低器件的EMI影响,同时为阈值电压及雪崩耐久性的优化调整提供了设计和工艺空间。本专利技术所采用的技术方案为:超结MOSFET结构的制造方法,其特征在于: ...
【技术保护点】
1.超结MOSFET结构的制造方法,其特征在于:该方法通过对具有高深宽比超结结构的P柱进行间隔刻蚀,刻蚀后再进行N型外延,使被刻蚀的P柱浮置于Pbody下方,为上方的Pbody浓度调整及阈值电压调整提供可优化空间,减少pbody间的颈区电阻。
【技术特征摘要】
1.超结MOSFET结构的制造方法,其特征在于:该方法通过对具有高深宽比超结结构的P柱进行间隔刻蚀,刻蚀后再进行N型外延,使被刻蚀的P柱浮置于Pbody下方,为上方的Pbody浓度调整及阈值电压调整提供可优化空间,减少pbody间的颈区电阻。2.根据权利要求1所述的超结MOSFET结构的制造方法,其特征在于:具体由以下步骤实现:步骤一:在N+衬底上生长一层电阻率稍高的外延N-;步骤二:通过Trench光刻板,刻蚀出深沟槽;步骤三:在N-外延表面,生长P型外延,使之填充满沟...
【专利技术属性】
技术研发人员:肖晓军,周宏伟,张园园,徐永年,任文珍,
申请(专利权)人:龙腾半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:陕西,61
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。