增强微元胞结构IGBT短路能力的方法技术

本发明专利技术涉及增强微元胞结构IGBT短路能力的方法，IGBT工艺初始阶段，先在Dummy Cell Mesa区域挖trench，然后生长外延，形成较深的P柱结构，后面Trench结构形成后，此P柱区域就形成了深的P+结构，短路发生时，用来限制短路电流的大小。在发生短路的时候，本方法可以有效限制短路电流的大小，增强芯片短路耐受的能力，避免芯片的意外损坏，提高芯片的鲁棒性，在不影响微元胞结构IGBT开通和关断损耗的情况下，减小短路电流，提高芯片的短路耐受能力。

Method of Enhancing IGBT Short Circuit Capability of Microcellular Structure

【技术实现步骤摘要】
增强微元胞结构IGBT短路能力的方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种增强微元胞结构IGBT短路能力的方法。
技术介绍
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。因此其应用也越来越广泛，是一种重要的功率半导体器件。随着IGBT技术的发展，芯片面积越来越小，电流密度越来越大。但是随着沟道密度的加大，出现了一个问题，就是IGBT的短路电流随之变大，管子短路耐受能力明显变弱。客户在应用过程中，会碰到一些极端情况，导致IGBT易于损坏。在这种情况下，如果用常规的方法提高短路能力，则会牺牲导通压降或者开关损耗。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种增强微元胞结构IGBT短路能力的方法，可以在不影响导通压降和开关损本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.增强微元胞结构IGBT短路能力的方法，其特征在于：IGBT工艺初始阶段，先在Dummy Cell Mesa区域挖trench，然后生长外延，形成较深的P柱结构，后面Trench结构形成后，此P柱区域就形成了深的P+结构，短路发生时，用来限制短路电流的大小。

【技术特征摘要】
1.增强微元胞结构IGBT短路能力的方法，其特征在于：IGBT工艺初始阶段，先在DummyCellMesa区域挖trench，然后生长外延，形成较深的P柱结构，后面Trench结构形成后，此P柱区域就形成了深的P+结构，短路发生时，用来限制短路电流的大小。2.根据权利要求1所述的增强微元胞结构IGBT短路能力的方法，其特征在于：具体包括以下步骤：步骤1、选取N型合适电阻率的硅片；步骤2、N-的衬底硅片上按照元胞的Dummy区域，先挖Trench；步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：周宏伟，刘鹏飞，刘杰，徐西昌，
申请(专利权)人：龙腾半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61