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本发明涉及增强微元胞结构IGBT短路能力的方法，IGBT工艺初始阶段，先在Dummy Cell Mesa区域挖trench，然后生长外延，形成较深的P柱结构，后面Trench结构形成后，此P柱区域就形成了深的P+结构，短路发生时，用来限制短...
该专利属于龙腾半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过龙腾半导体有限公司授权不得商用。

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