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本发明涉及一种功率MOSFET器件及其制造方法，步骤为：在N+Sub上生长外延层N‑epi；生长场氧化层，在有源区刻蚀场氧化层，在终端区注入P+并退火；在有源区生长屏蔽氧化层，注入杂质磷形成JFET区；在外延层生长牺牲氧化层并腐蚀，热氧化生...
该专利属于龙腾半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过龙腾半导体有限公司授权不得商用。

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