一种快速寻找NAND闪存最佳重读电压的方法技术

本发明专利技术提出一种快速寻找NAND闪存最佳重读电压的方法，包括以下步骤：A、分别确定在所有可能的读电压值下，NAND闪存中的至少一页中的所有数据出现位反转的数量；B、将出现最小位反转数量所对应的一个或多个读电压值设置为第一读电压数据集，并且将第一读电压数据集中的所有数据值的中值作为最佳重读电压；C、若所述最佳重读电压在所述NAND闪存中重读电压范围内，则将所述最佳重读电压应用到所述NAND闪存。

A fast way to find the best reread voltage of NAND flash memory

【技术实现步骤摘要】
一种快速寻找NAND闪存最佳重读电压的方法
本专利技术涉及数据处理领域，特别涉及一种快速寻找NAND闪存最佳重读电压的方法。
技术介绍
NAND闪存是现如今广泛使用的存储产片，具有速度快，非易失等优良特性。其内部实际上以存储电荷的形式来表示数据，在实际使用过程中，由于各种内外部条件的变化会导致存储电荷数量的变化，如果这一变化累积到一定程度，以默认的读操作来访问NAND闪存，很可能无法得到正确的数据。一般来说NAND闪存的生产厂家会允许用于调整用于判决cell(存储单元)状态的读电压，通过调整读电压来将数据正确的恢复出来，通常这个过程被称为readretry(重读)。本专利技术提供一种方法将NAND闪存内部一个page(页)内存储单元的阈值电压分布画出来，为用于选择合适的readretry方法以及数据错误分析提供依据。NAND闪存产品在使用过程中，由于负载的内外部条件的影响，造成cell内电子数量发生变化，进而导致以默认读电压无法得到正确的数据，通常原厂会提供多组readretry方法以调整读电压的方式来恢复数据。为了快速从这些readretry方法中找到最有效的情况，我们需要了解失效数据所在page内存储单元的阈值电压分布情况。由于原厂并没有直接提供外部命令来得到cell的阈值电压分布，现有常用的解决方法是，在实际使用readretry恢复数据的过程中一组一组分别尝试重读，直到能正确读取数据为止，然而，这样的操作费时又低效。
技术实现思路
为了解决现有技术中，确定重读电压费时低效的问题，本专利技术提出了一种快速寻找NAND闪存最佳重读电压的方法。首先，本专利技术提出一种快速寻找NAND闪存最佳重读电压的方法，包括以下步骤：A、分别确定在所有可能的读电压值下，NAND闪存中的至少一页中的所有数据出现位反转的数量；B、将出现最小位反转数量所对应的一个或多个读电压值设置为第一读电压数据集，并且将第一读电压数据集中的所有数据值的中值作为最佳重读电压；C、若所述最佳重读电压在所述NAND闪存中重读电压范围内，则将所述最佳重读电压应用到所述NAND闪存。进一步，在本专利技术提出的上述方法中，所述NAND闪存中的至少一页中的数据是随机分布的，并且数据“0”的占比和数据“1”的占比均为50％。进一步，在本专利技术提出的上述方法中，所述NAND闪存中的每一个存储单元所能放置的数据量为1bit。其次，本专利技术进一步提出一种快速寻找NAND闪存最佳重读电压的方法，包括以下步骤：A’、向待测试NAND闪存中的至少一个SLC页写入一整页的随机数据；B’、使用所有可能的读取电压分别读取NAND闪存中的至少一页中的所有数据，并分别对读取结果进行记录，并分别计算其中读出为“1”的个数；C’、将相邻两次读出为“1”的个数之差的绝对值，并将绝对值最小所对应的一个或多个读取电压值确定为最佳重读电压数据集。进一步，在本专利技术提出的上述方法中，所述所有可能的读取电压的数量为256个。进一步，在本专利技术提出的上述方法中，当所述最佳重读电压数据集中的数据数量大于1时，执行所述步骤C’后还包括步骤：D’、以读取电压值为横坐标，“1”的个数之差的绝对值为纵坐标，画出二维的散点分布图。进一步，在本专利技术提出的上述方法中，所述步骤D’中的散点分布图的坐标原点对应NAND闪存出厂的默认读取电压值。再次，本专利技术提出一种快速寻找NAND闪存最佳重读电压的装置，包括以下模块：初始化模块，用于分别确定在所有可能的读电压值下，NAND闪存中的至少一页中的所有数据出现位反转的数量；判断模块，用于将出现最小位反转数量所对应的一个或多个读电压值设置为第一读电压数据集，并且将第一读电压数据集中的所有数据值的中值作为最佳重读电压；目标确定模块，用于若所述最佳重读电压在所述NAND闪存中重读电压范围内，则将所述最佳重读电压应用到所述NAND闪存。再次，本专利技术提出一种快速寻找NAND闪存最佳重读电压的装置，包括以下模块：随机写入模块，用于向待测试NAND闪存中的至少一个SLC页写入一整页的随机数据；读取测试模块，用于使用所有可能的读取电压分别读取NAND闪存中的至少一页中的所有数据，并分别对读取结果进行记录，并分别计算其中读出为“1”的个数；寻找最佳模块，用于将相邻两次读出为“1”的个数之差的绝对值，并将绝对值最小所对应的一个或多个读取电压值确定为最佳重读电压数据集。最后，本专利技术提出一种计算机可读存储介质，其上储存有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述方法的步骤。本专利技术的有益成果是：通过执行本专利技术所提出的方法步骤，能够快速有效地找到NAND闪存的最佳重读电压。附图说明图1为本专利技术提出的一种快速寻找NAND闪存最佳重读电压的方法的第一实施例的流程图；图2为本专利技术提出的一种快速寻找NAND闪存最佳重读电压的方法的第二实施例的流程图；图3为本专利技术提出的一种快速寻找NAND闪存最佳重读电压的方法的第三实施例的流程图；图4为本专利技术提出的一种快速寻找NAND闪存最佳重读电压的方法的第四实施例的重读电压分布散点图；图5为本专利技术提出的一种快速寻找NAND闪存最佳重读电压的方法的第五实施例的重读电压分布散点图；图6为本专利技术提出的一种快速寻找NAND闪存最佳重读电压的装置的第一框架图；图7为本专利技术提出的一种快速寻找NAND闪存最佳重读电压的装置的第二框架图。具体实施方式以下将结合实施例和附图对本专利技术的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整的描述，以充分地理解本专利技术的目的、方案和效果。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。附图中各处使用的相同的附图标记指示相同或相似的部分。需要说明的是，如无特殊说明，当某一特征被称为“固定”、“连接”在另一个特征，它可以直接固定、连接在另一个特征上，也可以间接地固定、连接在另一个特征上。此外，本申请中所使用的上、下、左、右等描述仅仅是相对于附图中本申请各组成部分的相互位置关系来说的。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。本文及附图所描述的示例性实施例不应视为限制。在不脱离本文和权利要求的范围的情况下，可以进行各种机械的、组成的、结构的、电气的和操作性的变形，包括等同物。在某些情况下，未详细示出或描述公知的结构和技术，以免与本公开混淆。两幅或多幅图表中的相同的附图标记表示相同或类似的元件。此外，参考一个实施例所详细描述的元件及其相关特征，可以在任何可行的情况下包括在未具体示出或描述它们的其他实施例中。例如，如果参考一个实施例详细描述了某个元件，并且没有参考第二实施例描述该元件，则也可以主张包括该元件在第二实施例中。此外，除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种快速寻找NAND闪存最佳重读电压的方法，其特征在于，包括以下步骤：/nA、分别确定在所有可能的读电压值下，NAND闪存中的至少一页中的所有数据出现位反转的数量；/nB、将出现最小位反转数量所对应的一个或多个读电压值设置为第一读电压数据集，并且将第一读电压数据集中的所有数据值的中值作为最佳重读电压；/nC、若所述最佳重读电压在所述NAND闪存中重读电压范围内，则将所述最佳重读电压应用到所述NAND闪存。/n

【技术特征摘要】
1.一种快速寻找NAND闪存最佳重读电压的方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、分别确定在所有可能的读电压值下，NAND闪存中的至少一页中的所有数据出现位反转的数量；
B、将出现最小位反转数量所对应的一个或多个读电压值设置为第一读电压数据集，并且将第一读电压数据集中的所有数据值的中值作为最佳重读电压；
C、若所述最佳重读电压在所述NAND闪存中重读电压范围内，则将所述最佳重读电压应用到所述NAND闪存。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述NAND闪存中的至少一页中的数据是随机分布的，并且数据“0”的占比和数据“1”的占比均为50％。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述NAND闪存中的每一个存储单元所能放置的数据量为1bit。


4.一种快速寻找NAND闪存最佳重读电压的方法，其特征在于，包括以下步骤：
A’、向待测试NAND闪存中的至少一个SLC页写入一整页的随机数据；
B’、使用所有可能的读取电压分别读取NAND闪存中的至少一页中的所有数据，分别对读取结果进行记录，并分别计算其中读出为“1”的个数；
C’、将相邻两次读出为“1”的个数之差的绝对值，并将绝对值最小所对应的一个或多个读取电压值确定为最佳重读电压数据集。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述所有可能的读取电压的数量为256个。


6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，当所述最佳重读电压数据集中的数据数量大于1时，执行...

【专利技术属性】
技术研发人员：原顺，
申请(专利权)人：广州妙存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44