非易失性存储器装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术的实施例涉及非易失性存储器装置。一种非易失性存储器装置具有与连接到存储器单元的位线相关联的电路分支。当读取存储器单元时，在预充电步骤中，对位线进行预充电。在特性漂移步骤中，存储器单元被激活，并且电流源被激活以向第一位线提供漂移电流，并且基于存储在存储器单元中的数据来引起位线进行充电或放电。在检测步骤中，电流源被去激活，存储器单元被去耦，并且位线耦合到比较器级的输入，该比较器级将位线上的电压与参考电压进行比较，以提供指示存储在存储器单元中的数据的输出信号。

Nonvolatile memory device

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器装置
本技术涉及非易失性存储器装置、特别是相变存储器装置。
技术介绍
众所周知，并且如图1中示意性所示，由1表示的非易失性存储器装置(这里是相变型)通常包括存储器阵列2，存储器阵列2包括布置成行和列并且存储相应数据的多个存储器单元3。每个存储器单元3在此由被设计为存储二进制数据的相变型存储元件4、以及与存储元件4串联的在此由NMOS晶体管形成的选择元件5形成。用于布置在同一行中的存储器单元3的选择元件5具有的栅极端子被耦合在一起并且被耦合到相应的字线WL0、WL1、......。布置在同一列中的存储器单元3的选择元件5的具有的相应的第一导电端子被耦合在一起并且被耦合到相应的局部位线LBL1、......、LBLn、.......。此外，每个选择元件5具有的第二导电端子被耦合到参考电位线(例如，连接到地)。局部位线LBL0、......、LBLi、......耦合到列解码级6(以简化方式示出)，列解码级6又耦合到偏置和读取电路7，仅示出其感测放大器级12。字线WL0，WL1、......耦合到图1中示意性示出的行解码本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失性存储器装置，其特征在于，包括：/n存储器阵列，由被布置成行和列的多个存储器单元形成，其中存储数据的至少一个第一存储器单元被布置在第一列中并且可耦合到第一位线；/n第一电路分支，与所述第一位线相关联并且具有：/n第一节点，被耦合到所述第一位线；/n输出节点；以及/n开关部件，被配置为选择性地将所述第一节点耦合到所述第一存储器单元，并且将所述第一位线耦合到所述输出节点；/n比较器级，具有被耦合到所述输出节点的第一输入、被耦合到参考电压的第二输入、以及提供指示存储在所述第一存储器单元中的数据的输出信号的输出；/n电流源，可控制以向所述第一位线中注入漂移电流，所述漂移电流具有的值高于当...

【技术特征摘要】
20180504 IT 1020180000050841.一种非易失性存储器装置，其特征在于，包括：
存储器阵列，由被布置成行和列的多个存储器单元形成，其中存储数据的至少一个第一存储器单元被布置在第一列中并且可耦合到第一位线；
第一电路分支，与所述第一位线相关联并且具有：
第一节点，被耦合到所述第一位线；
输出节点；以及
开关部件，被配置为选择性地将所述第一节点耦合到所述第一存储器单元，并且将所述第一位线耦合到所述输出节点；
比较器级，具有被耦合到所述输出节点的第一输入、被耦合到参考电压的第二输入、以及提供指示存储在所述第一存储器单元中的数据的输出信号的输出；
电流源，可控制以向所述第一位线中注入漂移电流，所述漂移电流具有的值高于当所述第一存储器单元处于第一编程状态时在所述第一存储器单元中通过的电流、并且低于当所述第一存储器单元处于第二编程状态时在所述第一存储器单元中通过的电流；以及
控制单元，被配置为在所述第一存储器单元的读取期间控制所述开关部件以使得：
在预充电步骤中，当所述第一存储器单元被禁用时，所述第一位线以线预充电电压被预充电，并且所述电流源被去激活并且不提供所述漂移电流；
在特性漂移步骤中，当所述第一存储器单元被使能并且被连接到所述位线时，所述第一位线与所述输出节点去耦，并且所述电流源被激活并且向所述第一位线提供所述漂移电流，从而所述位线基于所存储的数据进行充电或放电；以及
在检测步骤中，所述电流源被去激活，并且所述开关部件将所述第一位线连接到所述输出节点。


2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一电路分支还包括：
第二节点；
第一连接开关，被配置为选择性地将所述第一节点耦合到所述第二节点；以及
第二连接开关，被配置为选择性地将所述第二节点耦合到所述输出节点，
其中在所述预充电步骤中，所述第一节点和所述第二节点以相应的预充电电压被预充电；在所述特性漂移步骤中，所述第二连接开关将所述第二节点与所述输出节点去耦；并且在所述检测步骤中，所述第二连接开关将所述第二节点连接到所述输出节点。


3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，还包括被耦合到所述第一节点的第一电容和被耦合到所述输出节点的第二电容；
其中所述控制单元被配置为使得在所述特性漂移步骤之后并且在所述检测步骤之前的共享步骤中，所述第一存储器单元与所述第一节点去耦，所述电流源被去激活，并且所述第二节点被耦合到所述输出节点以在所述第一电容与所述第二电容之间引起电荷共享。


4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述存储器阵列包括存储数据的第二存储器单元，所述第二存储器单元被布置在第二列中并且可耦合到不同于所述第一位线的第二位线，所述装置还包括：
第二电路分支，与所述第二位线相关联并且具有：被耦合到所述第二位线的第三节点；第四节点；以及被耦合到所述比较器级的所述第二输入的参考节点；第三连接开关，被布置在所述第三节点与所述第四节点之间；第四连接开关，被布置在所述第四节点与所述参考节点之间；以及
耦合级，包括第一耦合开关，所述第一耦合开关由所述控制单元可控制，以在所述预充电步骤之后并且在所述特性漂移步骤之前的均衡步骤中耦合所述输出节点和所述参考节点，并且在所述特性漂移步骤和所述检测步骤中将所述输出节点和所述参考节点去耦。


5.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述存储器阵列包括存储数据的第二存储器单元，所述第二存储器单元被布置在第二列中并且可耦合到不同于所述第一位线的第二位线，所述装置还包括：
第二电路分支，与所述第二位线相关联并且具有：被耦合到所述第二位线的第三节点；第四节点；以及被耦合到所述比较器级的所述第二输入的参考节点；第三连接开关，被布置在所述第三节点与所述第四节点之间；第四连接开关，被布置在所述第四节点与所述参考节点之...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·卡姆帕尔多，R·安农齐亚塔，P·祖里亚尼，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：意大利;IT