一种多层单元NAND闪存制造技术

本实用新型专利技术提供了一种多层单元NAND闪存，与不同位线连接的NAND串连接至不同的源极线，源极线连接至对应的源极电压选择器，所有的源极电压选择器的电压输入端连接至一个或多个源极电压生成器。源极电压选择器的输入参数端可连接至对应的位线感测电路的锁存器模块。

A kind of NAND flash memory with multilayer unit

【技术实现步骤摘要】
一种多层单元NAND闪存
本技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种多层单元NAND闪存。
技术介绍
NAND闪存是一种广泛使用的非易失性半导体存储器。关于NAND闪存的基本结构、基本原理和感测电路，在书籍RinoMicheloni，LucaCrippa，AlessiaMarelli(2010)“InsideNANDFlashMemories”NewYork：SpringerScience+BusinessMedia，的第2章、第8章、第10章和第16章中有详细的论述。该书籍的这些章节通过引入的方式并入本文本中。通常，NAND闪存包括闪存单元阵列102、读/写电路103、输入输出缓冲区104、控制电路101、列译码器105和行译码器106，如图1所示。闪存单元阵列102包括多个NAND串201(NANDstring)，NAND串201由两选择栅及串联在两选择栅之间的闪存单元310(cell)组成。在现有技术方案中，读/写电路103中的位线202(bitline)和源极线203(sourceline)与NAND串201的连接关系如图2所示。NA本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层单元NAND闪存，包括闪存单元阵列、读/写电路、输入输出缓冲区、控制电路、行译码器和列译码器，其特征在于，所述的读/写电路中，与不同位线连接的NAND串的源极连接至独立的源极线，源极线与位线一一对应。/n

【技术特征摘要】
1.一种多层单元NAND闪存，包括闪存单元阵列、读/写电路、输入输出缓冲区、控制电路、行译码器和列译码器，其特征在于，所述的读/写电路中，与不同位线连接的NAND串的源极连接至独立的源极线，源极线与位线一一对应。


2.根据权利要求1所述的多层单元NAND闪存，其特征在于，所述的每个源极线均连接至一个对应的电压选择器的输出端。


3.根据权利要求2所述的多层单元NAND闪存，其特征在于，包括一个或多个电压生成器，所述的电压生成器提供多个输出电压，所述多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈惕生，耿志远，
申请(专利权)人：本征信息技术上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31