多层单元NAND闪存的一种操作方法技术

本发明专利技术提供了多层单元NAND闪存的一种操作方法。在一次感测操作中，通过调整NAND串的源极电压以改变待测单元的栅极电压与源极电压的电压差，并检查NAND串的导通情况，可以判断待测单元阈值电压与该电压差的大小关系。在读取数据操作中，根据多次上述感测操作的比较结果，可以确定待测单元中存储的待读数据比特。与不同位线相连的NAND串连接至可独立调整的源极信号，因而可以实现与待测单元状态有关的感测，包括基于调整源极电压的二分串行感测。在编程操作的校验步骤中，可根据目标值调整每个位线对应的源极信号电压，只需一次感测操作，即可完成校验。

【技术实现步骤摘要】
多层单元NAND闪存的一种操作方法
本专利技术涉及集成电路设计领域，尤其涉及NAND闪存设计领域。
技术介绍
NAND闪存是一种广泛使用的非易失性半导体存储器。关于NAND闪存的基本原理和感测电路，在书籍RinoMicheloni，LucaCrippa，AlessiaMarelli(2010)“InsideNANDFlashMemories”NewYork：SpringerScience+BusinessMedia，的第2章、第8章、第10章和第16章中有详细的论述。该书籍的这些章节通过引入的方式并入本文本中。SLCNAND闪存中每个单元可存储1个比特。而多层单元NAND闪存的一个单元可以存储多个比特，其中MLCNAND闪存中每个单元可存储2个比特，TLCNAND闪存中每个单元可存储3个比特，QLCNAND闪存中每个单元可存储4个比特。页(page)是NAND闪存读写操作的基本单位。在目前主流的NAND闪存中，每个存储单元的多个比特一般是映射到不同的页中，方便起见，我们称这种模式为“分页读取模式”。每个存储单元的所有数据比特也可以全部映射到同一个页中，我们称这种模式为“同页读取模式”本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.多层单元NAND闪存的一种读取数据的方法，包括：向待测块中的待测字线加较低的栅极电压，向待测块中的其它字线加较高的栅极电压，使其它字线的存储单元导通；以及不断改变待测块中的各个NAND串的源极电压，并观察NAND串是否导通，直至确定待测单元中的待读数据；其特征在于，通过调整NAND串的源极电压来改变待测单元栅极与源极间的电压差，而不是固定NAND串的源极电压、调整字线的栅极电压来改变待测单元栅极与源极的电压差。

【技术特征摘要】
1.多层单元NAND闪存的一种读取数据的方法，包括：向待测块中的待测字线加较低的栅极电压，向待测块中的其它字线加较高的栅极电压，使其它字线的存储单元导通；以及不断改变待测块中的各个NAND串的源极电压，并观察NAND串是否导通，直至确定待测单元中的待读数据；其特征在于，通过调整NAND串的源极电压来改变待测单元栅极与源极间的电压差，而不是固定NAND串的源极电压、调整字线的栅极电压来改变待测单元栅极与源极的电压差。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，与不同位线相连的NAND串的源极连接至独立的源极信号，其电压可以独立调整，而不是所有NAND串连接至同一个共享的源极信号。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在感测过程中，保持待测单元的栅极电压不变。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在多次感测操作中，每个NAND串的源极电压的调整由该NAND串之前的感测结果决定；在一给定的源极电压下，若一NAND串导通，则在后续感测操作中该NAND串只选择比之更高的源极电压；若一NAND串不导通，则在后续感测操作中该NAND串只选择比之更低的源极电压。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，源极电压的调整方案是基于二分连续逼近法。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，多层单元NAND闪存支持分页读取模式，即所述待测单元中的待读数据指...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈惕生，耿志远，
申请(专利权)人：本征信息技术上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31