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本发明提供了多层单元NAND闪存的一种操作方法。在一次感测操作中，通过调整NAND串的源极电压以改变待测单元的栅极电压与源极电压的电压差，并检查NAND串的导通情况，可以判断待测单元阈值电压与该电压差的大小关系。在读取数据操作中，根据多次上...
该专利属于本征信息技术（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过本征信息技术（上海）有限公司授权不得商用。

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