基于LUT结构的双轨预充电AND-NAND单元制造技术

本发明专利技术公开了一种基于LUT结构的双轨预充电AND‑NAND单元，包括：单轨LBDL逻辑与门，其包括第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2和第一反相器I1；以及单轨LBDL逻辑与非门，其包括第四PMOS晶体管P4，第五PMOS晶体管P5、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4，第五NMOS晶体管N5和第二反相器I2。本发明专利技术的双轨预充电AND‑NAND单元使用更少的晶体管，占用更少的版图面积，同时保证了优秀的抗DPA攻击能力。

Dual rail precharge and-nand unit based on LUT structure

【技术实现步骤摘要】
基于LUT结构的双轨预充电AND-NAND单元
本专利技术是关于信息安全
，特别是关于一种基于LUT结构的双轨预充电AND-NAND单元。
技术介绍
随着信息化技术的不断发展，信息技术已被广泛应用于政治、经济、个人生活等多个领域。同时，各种便携性密码设备的应用与实践也已深入到世界信息化发展的各个层面。而作为密码设备安全模块的核心部件，密码芯片一直面对着大量不同类型的攻击，与传统的破解加密芯片的方法相比，这些新兴的攻击技术更加隐蔽且难以防范。在各种攻击技术中侧信道攻击(Side-ChannelAttack,SCA)旨在通过检测密码设备在运行时泄露的物理信息(功耗信息，电磁信息)来获取加密设备中处理的信息。差分功耗分析(DifferentialPowerAnalysis,DPA)，是侧信道攻击中一种最为简单高效的攻击方法，它易于实施，仅需要少量的实验人员及设备即可实现，极大地威胁了密码芯片的安全性。为了应对DPA攻击，功耗防御措施应运而生。抵抗DPA攻击的基本思想是消除密码芯片工作时电流与内部数据之间的相关性。常规侧信道防护方法包括盲化泄露防护、消除泄露防护、弱化泄露防护等；在电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于LUT结构的双轨预充电AND‑NAND单元，其特征在于，所述双轨预充电AND‑NAND单元包括：单轨LBDL逻辑与门，所述单轨LBDL逻辑与门包括第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2和第一反相器I1，其中，所述第一PMOS晶体管P1的漏极与所述第三PMOS晶体管P3的漏极、所述第二NMOS晶体管N2的漏极以及所述第一反相器I1的输入端公共连接，所述第二POMS晶体管P2的漏极与所述第三PMOS晶体管P3的源极、所述第一NMOS晶体管N1的漏极以及所述第二NMOS晶体管N2的源极公共连接；以及单轨LBD...

【技术特征摘要】
1.一种基于LUT结构的双轨预充电AND-NAND单元，其特征在于，所述双轨预充电AND-NAND单元包括：单轨LBDL逻辑与门，所述单轨LBDL逻辑与门包括第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2和第一反相器I1，其中，所述第一PMOS晶体管P1的漏极与所述第三PMOS晶体管P3的漏极、所述第二NMOS晶体管N2的漏极以及所述第一反相器I1的输入端公共连接，所述第二POMS晶体管P2的漏极与所述第三PMOS晶体管P3的源极、所述第一NMOS晶体管N1的漏极以及所述第二NMOS晶体管N2的源极公共连接；以及单轨LBDL逻辑与非门，所述单轨LBDL逻辑与非门包括第四PMOS晶体管P4，第五PMOS晶体管P5、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4，第五NMOS晶体管N5和第二反相器I2，其中，所述第三NMOS晶体管N3的栅极接所述第三输入信号，所述第三NMOS晶体管N3的漏极与所述第五PMOS晶体管P5的漏极、所述第五NMOS晶体管N5的漏极以及第二反相器I2的输入端公共连接，所述第四NMOS晶体管N4的漏极与所述第五NMOS晶体管N5的源极、所述第四PMOS晶体管P4的漏极以及所述第五PMOS晶体管P5的源极公共连接。2.如权利要求1所述的双轨预充电AND-NAND单元，其特征在于，所述第三PMOS晶体管P3与所述第二NMOS晶体管N2、所述第五PMOS晶体管P5与所述第五NMOS晶体管N5分别构成传输门。3.如权利要求2所述的双轨预充电AND-NAND单元，其特征在于，所述第一PMOS晶体管P1和所述第二POMS晶体管P2的源极分别接电源端，所述第一NMOS晶体管N1的源极接地，所述第一PMOS晶体管P1的栅极接第一输入信号，所述第二POMS晶体管P2的栅极接第二输入信号，所述第三PMOS晶体管P3的栅极接第三输入信号，所述第一NMOS晶体管N1的栅极接所述第二输入信号，所述第二NMOS晶体管N2的栅极接所述第一输入信号，所述第一反相器I1输出第一输出信号，所述第一输出信号为所述第一输入信号和所述第二输入信号相与的输出结果。4.如权利要求3所述的双轨预充电AND-NAND单元，其特征在于，所述第三NMOS晶体管N3和所述第四NMOS晶体管N4的源极分别接地，所述第四PMOS晶体管P4的源极接电源端，所述第三NMOS晶体管N3的栅极接第三输入信号，所述第四PMOS晶体管P4和所述第四NMOS晶体管N4的栅极接第四输入信号，所述第五NMOS晶体管N5的栅极接第一输入信号，所述第五PMOS晶体管P5的栅极接所述第三输入信号，所述第二反相器I2输出第二输出信号，所述第二输出信号为所述第一输入信号和所述第二输入信号做与非运算的输出结果。5.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：原义栋，甘杰，金锐，胡晓波，于艳艳，赵毅强，蔡里昂，王喆，崔炳荣，成嵩，杜鹏程，李娜，毛蝾，李建阳，魏佳，
申请(专利权)人：北京智芯微电子科技有限公司，国网信息通信产业集团有限公司，国家电网有限公司，国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院，
类型：发明
国别省市：北京,11