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本发明公开了一种基于LUT结构的双轨预充电AND‑NAND单元，包括：单轨LBDL逻辑与门，其包括第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2和第一反相器I1；以及单...该专利属于北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网有限公司;国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网有限公司;国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院授权不得商用。