一种闪存存储器制造技术

本申请提供一种闪存存储器，该存储器包括电位校正模块、存储单元，将电位校正模块的输出端与存储单元中浮栅场效应管的电位输出端连接，通过电位校正模块向浮栅场效应管的电位输出端输出校正信号，浮栅场效应管的电位输出端的电位稳定后，输出存储的数据。通过向存储单元的浮栅场效应管的电位输出端输出校正信号，产生较大电流使浮栅场效应管在短时间内充电，浮栅场效应管的电位输出端的电位稳定的时间缩短，因而可以加快数据读取。

【技术实现步骤摘要】
一种闪存存储器
本申请涉及存储器领域，尤其涉及一闪存存储器。
技术介绍
闪存存储器是一种非易失存储器。其存储单元具有浮栅场效应管，通过向浮栅场效应管的浮栅中注入或排出电荷，完成数据的写入。读出数据时，向浮栅场效应管的控制端上施加的电压较小，不会改变浮栅中的电荷量，即读出操作不会改变存储器中原有的数据，因此，闪存存储器在掉电之后数据不会消失。
技术实现思路
本说明书实施例提供一种闪存存储器。用以解决现有技术中闪存存储器读取速度慢的问题。本申请提供一种闪存存储器，该存储器包括：存储单元、电位校正模块；所述存储单元包含具有电位输出端的浮栅场效应管；所述电位校正模块具有第一校正信号输出端；所述第一校正信号输出端与所述浮栅场效应管的电位输出端连接。本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：通过向存储单元的浮栅场效应管的电位输出端输出校正信号，产生较大电流使浮栅场效应管在短时间内充电，浮栅场效应管的电位输出端的电位稳定的时间缩短，因而可以加快数据读取。附图说明此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存存储器，其特征在于，所述存储器包括：存储单元、电位校正模块；所述存储单元包含具有电位输出端的浮栅场效应管；所述电位校正模块具有第一校正信号输出端；所述第一校正信号输出端与所述浮栅场效应管的电位输出端连接。

【技术特征摘要】
1.一种闪存存储器，其特征在于，所述存储器包括：存储单元、电位校正模块；所述存储单元包含具有电位输出端的浮栅场效应管；所述电位校正模块具有第一校正信号输出端；所述第一校正信号输出端与所述浮栅场效应管的电位输出端连接。2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述电位校正模块为控制单元；所述控制单元具有读取时钟信号输入端；所述控制单元根据输入的读取时钟信号的电位变化在预设时段输出控制信号；所述控制单元的输出端形成所述第一校正信号输出端，所述控制信号作为校正信号。3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述电位校正模块包括，第一开关，控制单元，校正电位接入端；所述控制单元具有读取时钟信号输入端；所述控制单元根据输入的读取时钟信号的电位变化在预设时段输出控制信号；所述控制单元控制第一开关导通和关断；所述第一开关的输入端形成校正电位接入端，所述第一开关的输出端形成所述第一校正信号输出端；所述电位校正模块根据输入的读取时钟信号的电位变化在预设时段输出校正信号。4.如权利要求2或3所述的存储器，其特征在于，所述控制单元，包括：第一反相器、第二反相器、第三反相器、电容、与门电路；所述第一反相器和所述第三反相器的输入端均与所述读取时钟信号输入端连接，所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输入端均与所述电容的一端连接，所述电容的另一端接地；所述第二反相器的输出端与所述与门电路的第一输入端连接；所述第三反相器的输出端与所述与门电路的第二输入端连接；所述与门电路的输出端形成所述控制单元的输出端。5.如权利要求2或3所述的存储器，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶胜，
申请(专利权)人：成都豆萁集成电路设计有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51