一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的方法技术

本发明专利技术公开了一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的方法，包括以下步骤：A、向存储器写入数据前，先获取当前环境温度数据值，并将获取的所述当前的环境温度数据值与对应该当前的环境温度数据值的待写入的数据一同写入存储器；B、在第一温度范围下，获取环境温度数据值，并当所述环境温度数据值在第二温度范围时，将对应于该环境温度数据值的数据移动至另一物理内存位置。本发明专利技术通过在正常温度下主动对高低温写入的数据进行垃圾回收，从而降低数据出错的概率，延长数据的保持时间，增强可靠性。

A method to optimize the read and write reliability of NAND flash memory at high and low temperature

【技术实现步骤摘要】
一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的方法
本专利技术涉及数据读写领域，特别涉及一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的方法。
技术介绍
随着智能终端对存储容量需求不断的增大，传统的2DSLCNAND已经不能满足需求了，逐渐被3DTLCNAND替代。但是3DTLCNAND阈值电压(Vth)分布比较密集，受到环境温度的影响，浮动门(FloatingGate)存储的电子不稳定，在高低温环境下对存储设备进行编程，容易造成阈值电压偏移，在回到常温环境时，使用默认的读方式会出现大量数据bit翻转，NAND控制器解码时间过长，影响读性能的同时，数据保持时间也会缩短，因此，在闪存转换层FTL中增加对高低温读写的判断，主动更新数据显得十分重要。
技术实现思路
针对现有技术中并没有对异常温度环境下读写操作制定相应的策略问题，本专利技术提出一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的方法。首先，本专利技术提出一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的方法，包括以下步骤：A、向存储器写入数据前，先获取当前环境温度数据值，并将获取的所述当前的环境温度数据值与对应该当前的环境温度数据值的待写入的数据一同写入存储器；B、在第一温度范围下，获取环境温度数据值，并当所述环境温度数据值在第二温度范围时，将对应于该环境温度数据值的数据移动至另一物理内存位置。进一步，在本专利技术提出的上述方法中，所述闪存为3DTLCNAND闪存。进一步，在本专利技术提出的上述方法中，所述第一温度范围为大于90℃或小于0℃。进一步，在本专利技术提出的上述方法中，所述第二温度范围为20℃至25℃。进一步，在本专利技术提出的上述方法中，所述第二温度范围为15℃至30℃。进一步，在本专利技术提出的上述方法中，所述第二温度范围为10℃至35℃。进一步，在本专利技术提出的上述方法中，所述第二温度范围为5℃至40℃。第二，本专利技术提出一种应用上述所述方法的NAND闪存，其特征在于，包括温度传感器和闪存转换层FTL，所述温度传感器与所述闪存转换层FTL连接，并响应于所述闪存转换层FTL，发送当前温度数据值。第三，本专利技术提出一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的装置，包括以下模块：温度模块，用于向存储器写入数据前，先获取当前环境温度数据值，并将获取的所述当前的环境温度数据值与对应该当前的环境温度数据值的待写入的数据一同写入存储器；迁移模块，用于在第一温度范围下，获取环境温度数据值，并当所述环境温度数据值在第二温度范围时，将对应于该环境温度数据值的数据移动至另一物理内存位置。最后，本专利技术提出一种计算机可读存储介质，其上储存有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述所述的方法的步骤。本专利技术的有益成果是：在正常温度下主动对高低温写入的数据进行垃圾回收，从而降低数据出错的概率，延长数据的保持时间，增强数据的可靠性。附图说明下面结合附图和实例对本专利技术作进一步说明。在所附的附图中，相同的附图标记表示相同的部件。图1所示为不同温度下NAND闪存的阈值电压示意图；图2所示为根据本专利技术提出的一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的方法的第一实施例的流程图；图3所示为根据本专利技术提出的一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的方法的第二实施例的流程图；图4所示为应用根据本专利技术提出的一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的方法的NAND闪存的结构图；图5所示为根据本专利技术提出的一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的装置的框架图。具体实施方式以下将结合实施实例和附图对本专利技术的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整的描述，以充分地理解本专利技术的目的、方案和效果。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。附图中各处使用的相同的附图标记指示相同或相似的部分。需要说明的是，如无特殊说明，当某一特征被称为“固定”、“连接”在另一个特征，它可以直接固定、连接在另一个特征上，也可以间接地固定、连接在另一个特征上。此外，本申请中所使用的上、下、左、右等描述仅仅是相对于附图中本申请各组成部分的相互位置关系来说的。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。本文及附图所描述的示例性实施例不应视为限制。在不脱离本文和权利要求的范围的情况下，可以进行各种机械的、组成的、结构的、电气的和操作性的变形，包括等同物。在某些情况下，未详细示出或描述公知的结构和技术，以免与本公开混淆。两幅或多幅图表中的相同的附图标记表示相同或类似的元件。此外，参考一个实施例所详细描述的元件及其相关特征，可以在任何可行的情况下包括在未具体示出或描述它们的其他实施例中。例如，如果参考一个实施例详细描述了某个元件，并且没有参考第二实施例描述该元件，则也可以主张包括该元件在第二实施例中。此外，除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与本
的技术人员通常理解的含义相同。本文说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例，而不是为了限制本申请。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的组合。应当理解，尽管在本申请中可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种元件，但这些元件不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的元件彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一元件也可以被称为第二元件，类似地，第二元件也可以被称为第一元件。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”。在本专利技术的实施例中，方法步骤可以按另一个顺序执行。本专利技术并不限于所述的方法步骤确定的顺序。参照图1所示的不同温度下NAND闪存的阈值电压示意图；图中分别示出了在三个不同的温度下，0℃、30℃和90℃下，NAND闪存的写的阈值电压，从图中可以看出，随着温度的不断升高，不同温度下，电子表现非常不稳定，编程后的阈值电压表现也不一样，阈值电压不断向右漂移，因而，阈值电压随着温度的变化而发生较大的变化，因而，若数据是在高低温下进行写入的，那么回到常温状态下，用默认的读电压读数据时，则可能出现较多的反转比特，或者出现数据的出错，这样会大大影响数据的可靠性。在本专利技术中，高温特定所指的是超过90℃的温度，而低温特定所指的温度是低于0℃的温度，常温一般是的是20℃至25℃的范围，应当理解，此温度范围是实施本专利技术的优选温度范围，在不违反本专利技术的精神的前提下，可以适当地扩展到大多数情况下人体一般处于的温度范围，即5℃至40℃。参照图2所示的根据本专利技术提出的一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的方法的第一实施例的流程图，图中示出了一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的方法的示例性实施例，在本专利技术的一个实施例中，向内存页写入数据前，先获取当前的温度数据值，并与待写入的数据一起存储在内存页中。一般情况下，写入的操作是由闪存转换层FTL发出指令，由物理层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的方法，其特征在于，包括以下步骤：/nA、向存储器写入数据前，先获取当前环境温度数据值，并将获取的所述当前的环境温度数据值与对应该当前的环境温度数据值的待写入的数据一同写入存储器；/nB、在第一温度范围下，获取环境温度数据值，并当所述环境温度数据值在第二温度范围时，将对应于该环境温度数据值的数据移动至另一物理内存位置。/n

【技术特征摘要】
1.一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、向存储器写入数据前，先获取当前环境温度数据值，并将获取的所述当前的环境温度数据值与对应该当前的环境温度数据值的待写入的数据一同写入存储器；
B、在第一温度范围下，获取环境温度数据值，并当所述环境温度数据值在第二温度范围时，将对应于该环境温度数据值的数据移动至另一物理内存位置。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述闪存为3DTLCNAND闪存。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一温度范围为大于90℃或小于0℃。


4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二温度范围为20℃至25℃。


5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二温度范围为15℃至30℃。


6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二温度范围为10℃至35℃。...

【专利技术属性】
技术研发人员：周坤，
申请(专利权)人：广州妙存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44