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本发明公开了一种优化NAND闪存高低温读写可靠性的方法，包括以下步骤：A、向存储器写入数据前，先获取当前环境温度数据值，并将获取的所述当前的环境温度数据值与对应该当前的环境温度数据值的待写入的数据一同写入存储器；B、在第一温度范围下，获取环...
该专利属于广州妙存科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州妙存科技有限公司授权不得商用。

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