【技术实现步骤摘要】
测试半导体器件的系统和方法以及制造半导体器件的方法
本专利技术构思涉及测试半导体器件的系统和方法，更具体地，涉及测试影响半导体器件的电磁干扰(EMI)的系统和方法。
技术介绍
半导体制造工艺复杂并且需要检查。因此，为了管理所制造的半导体器件的质量，有必要针对缺陷测试半导体器件。针对缺陷检查半导体器件顾及缺陷检测，并因此使制造半导体器件的过程中产出的半导体器件的可靠性提高。半导体器件的可靠性还可以通过测试并评估半导体器件的电磁干扰特性而提高。
技术实现思路
本专利技术构思提供了测试半导体器件的系统和方法从而提高可靠性。根据本专利技术构思的一示例性实施方式，一种半导体器件测试系统可以包括主体，主体形成其中装载测试器件的内部空间。盖联接到主体以覆盖内部空间。盖还可以包括第一盖和第二盖，第一盖包括第一开口的阵列，第二盖包括第二开口的阵列。第一开口的阵列不同于第二开口的阵列。根据本专利技术构思的一示例性实施方式，提供了一种测试半导体器件的方法。该方法使用半导体器件测试系统来执行，该半导体器件测试系统...
【技术保护点】
1.一种半导体器件测试系统，包括：/n主体，包括其中装载测试器件的内部空间；以及/n盖，联接到所述主体以覆盖所述内部空间，/n其中所述盖包括：/n包括第一开口的第一盖；和/n包括第二开口的第二盖，以及/n所述第一开口的布置不同于所述第二开口的布置。/n
【技术特征摘要】
20180726 KR 10-2018-00872091.一种半导体器件测试系统，包括：
主体，包括其中装载测试器件的内部空间；以及
盖，联接到所述主体以覆盖所述内部空间，
其中所述盖包括：
包括第一开口的第一盖；和
包括第二开口的第二盖，以及
所述第一开口的布置不同于所述第二开口的布置。
2.根据权利要求1所述的半导体器件测试系统，其中当在俯视图中看时，所述第一开口分别从所述第二开口偏移。
3.根据权利要求1所述的半导体器件测试系统，其中当在俯视图中看时，所述第一开口的中心分别从所述第二开口的中心偏移。
4.根据权利要求1所述的半导体器件测试系统，其中当在俯视图中看时，第一区域与第二区域重叠，所述第一区域由连接所述第一开口中最外侧的第一开口的中心的线限定，所述第二区域由连接所述第二开口中最外侧的第二开口的中心的线限定。
5.根据权利要求4所述的半导体器件测试系统，其中，当在俯视图中看时，所述第一区域具有比所述测试器件小的面积，并且所述测试器件具有比所述第二区域小的面积。
6.根据权利要求1所述的半导体器件测试系统，其中从所述第一开口中的两个相邻开口的中心到所述第二开口中与其相邻的一个的距离彼此基本相等。
7.根据权利要求1所述的半导体器件测试系统，其中所述第一开口和所述第二开口的每个的尺寸等于或大于测试探针的尺寸。
8.根据权利要求1所述的半导体器件测试系统，其中所述第一开口的每个的尺寸基本上等于所述第二开口的每个的尺寸。
9.根据权利要求1所述的半导体器件测试系统，其中所述第一开口的数量不同于所述第二开口的数量。
10.根据权利要求1所述的半导体器件测试系统，其中所述第一开口布置成3×3矩阵，所述第二开口布置成4×4矩阵。
11.根据权利要求1所述的半导体器件测试系统，其中所述第二盖还包括第三开口，所述第三开口的布置不同于所述第二开口的布置。
12.根据权利要求11所述的半导体器件测试系统，其中，当在俯视图中看时，所述第二盖的其中形成所述第二开口的第一部分与所述测试器件的边缘重叠，并且所述第二盖的其中形成所述第三开口的第二部分与所述测试器件的中央区域重叠...
【专利技术属性】
技术研发人员：金俊培，赵容晧，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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