半导体设备及其加热装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种半导体设备及其加热装置。该加热装置包括：加热部；所述加热部包括用于与所述挡板相抵接的壳体以及设置在所述壳体内的电热丝；其中，所述加热装置能将所述挡板加热至预设温度，所述预设温度大于或等于100℃。加热装置对挡板进行加热可以延长挡板的清洗周期，降低了薄膜制备设备的维护成本，提高了薄膜制备设备的运行效率。

Semiconductor equipment and its heating device

【技术实现步骤摘要】
半导体设备及其加热装置
本技术总体来说涉一种半导体加工
，具体而言，涉及一种半导体设备。
技术介绍
在半导体制造过程中，化学气相沉积(CVD)作为薄膜制程已经被广泛使用。化学气相沉积在半导体设备的反应腔室中进行。先将晶圆置于密闭的反应腔室中，再将反应气体输送至半导体设备内，反应气体与晶圆在高温环境下发生化学反应能在晶圆表面沉积一层薄膜。以氮化硅层的沉积为例，二氯硅烷(SiH2Cl2)、氨气(NH3)等反应气体注入到反应腔室内后能与晶圆发生反应以在晶圆表面形成氮化硅层。现有的半导体设备的反应腔室上设置有一开口，该开口用于供晶圆进出反应腔室。半导体设备在加工完一批晶圆后，需要向反应腔室内输入清洁气体以将反应腔室中的残余气体替换掉，避免在加工下一批晶圆时残余气体影响该批晶圆的质量。在此过程中，半导体设备上的隔热板封堵开口，以避免反应腔室内的温度下降。由于隔热板封堵开口时，反应腔室内还具有残余反应气体，这些残余反应气体会在隔热板上生长出薄膜。同时，隔热板上也容易附着易挥发的反应产物，这些反应产物在加工下一批晶圆时容易混入至反应气体中造成污染。为保证反应腔室的洁净度，需要每隔一段时间将隔热板上的薄膜进行清除，两个人清理作业需要花4-6小时才能将隔热板上的薄膜清除干净。由于需要定期人工清理且清理时间较长，使得半导体设备的维护成本高，半导体设备的运行效率低。在所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本技术的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。r>
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本技术的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种用于加热挡板的加热装置，其包括：加热部；所述加热部包括用于与所述挡板相抵接的壳体以及设置在所述壳体内的电热丝；其中，所述加热装置能将所述挡板加热至预设温度，所述预设温度大于或等于100℃。根据本技术的一个实施例，所述壳体的外轮廓为平板状，所述电热丝在所述壳体内蜿蜒延伸。根据本技术的一个实施例，所述壳体的外轮廓为半圆形的平板状，所述壳体的圆心处设置有一缺口；所述加热装置包括两个加热部，在安装状态下两个所述加热部拼接成圆形，两个所述缺口形成供所述挡板上的支撑柱通过的通孔。根据本技术的一个实施例，所述加热部还包括设置在所述壳体内的多条热管，所述热管内填充有毛细结构以及工作流体；所述热管从所述缺口附近径向向外延伸，相邻两条所述热管之间的夹角相等。根据本技术的一个实施例，所述壳体与所述挡板相抵接的表面设置成波浪状，以增大所述壳体与所述挡板之间的接触面积。本技术的还提出了一种半导体设备，其包括：反应腔室，设置有开口；挡板，用于启闭所述开口；如上所述的加热装置，安装于所述挡板。根据本技术的一个实施例，所述预设温度的取值范围为110℃到130℃。根据本技术的一个实施例，所述预设温度为120℃。根据本技术的一个实施例，所述半导体设备还包括温度传感器和温度控制器；所述温度控制器电连接于所述温度传感器和所述加热装置；所述温度传感器用于测量所述挡板的温度并将测量结果发送至所述温度控制器，所述温度控制器用于根据所述测量结果与所述预设温度之间的偏差来来调节挡板温度以使得挡板温度达到所述预设温度。根据本技术的一个实施例，所述半导体设备还包括用于承载晶圆的晶舟；所述晶舟从所述开口进出所述反应腔室，所述晶舟处于所述反应腔室外时所述挡板关闭所述开口。根据本技术的一个实施例，仅当所述挡板关闭所述开口时，所述加热装置才对所述挡板加热。根据本技术的一个实施例，所述半导体设备还包括感应开关；所述感应开关能感应到所述挡板是否关闭所述开口，若感应到挡板关闭开口则所述感应开关打开所述加热装置，若感应到挡板没有关闭开口则所述感应开关关闭所述加热装置。根据本技术的一个实施例，所述半导体设备还包括第一驱动机构，所述第一驱动机构包括支撑架、与所述支撑架之间转动连接的摆杆以及用于驱动所述摆杆摆动的第一电机；所述挡板安装在所述摆杆上，并随着所述挡板的摆动而启闭所述开口。根据本技术的一个实施例，所述感应开关安装在所述支撑架与所述摆杆之间的连接处，根据测量所述摆杆摆动的角度来判断所述挡板是否关闭所述开口。根据本技术的一个实施例，所述挡板为圆形板，所述挡板还包括从挡板的中心向背离反应腔室的方向延伸的支撑柱；所述支撑柱的连接到所述摆杆上。由上述技术方案可知，本技术的加热装置和半导体设备的优点和积极效果在于：在挡板关闭开口期间，加热装置对挡板进行加热以将挡板的温度保持在预设温度以上，易挥发的副产物也不易附着在挡板的表面上，挡板表面不易生长出薄膜，清洁气体能将残余气体完全替换掉而不会残留在挡板上。由此，挡板的清洗周期可以极大的延长，降低了半导体设备的维护成本，提高了半导体设备的运行效率。附图说明通过结合附图考虑以下对本技术的优选实施例的详细说明，本技术的各种目标、特征和优点将变得更加显而易见。附图仅为本技术的示范性图解，并非一定是按比例绘制。在附图中，同样的附图标记始终表示相同或类似的部件。其中：图1是根据一示例性实施方式示出的一种半导体设备在挡板封闭开口状态下的剖视示意图。图2是根据一示例性实施方式示出的一种半导体设备在挡板打开开口状态下的剖视示意图。图3是根据一示例性实施方式示出的一种加热装置的俯视示意图。图4是根据一示例性实施方式示出的加热装置和挡板的仰视示意图。图5是根据一示例性实施方式示出的加热装置的俯视示意图。图6是根据一示例性实施方式示出的加热装置和挡板的正视示意图。其中，附图标记说明如下：1、半导体设备；11、反应腔室；110、腔体；111、开口；112、进气口；113、出气口；13、晶舟；131、基座；132、托架；133、托爪；14、挡板；141、支撑柱；15、加热装置；151、加热部；152、缺口；153、壳体；154、电热丝；155、热管；16、第一驱动机构；161、支撑架；162、摆杆；17、第二驱动机构；18、清洁气体气源；21、感应开关；22、温度控制器；23、气体气源；24、螺钉；3、晶圆。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本技术将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于加热挡板的加热装置，其特征在于，包括：加热部；/n所述加热部包括用于与所述挡板相抵接的壳体以及设置在所述壳体内的电热丝；/n其中，所述加热装置能将所述挡板加热至预设温度，所述预设温度大于或等于100℃。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于加热挡板的加热装置，其特征在于，包括：加热部；
所述加热部包括用于与所述挡板相抵接的壳体以及设置在所述壳体内的电热丝；
其中，所述加热装置能将所述挡板加热至预设温度，所述预设温度大于或等于100℃。


2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，所述壳体的外轮廓为平板状，所述电热丝在所述壳体内蜿蜒延伸。


3.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，所述壳体的外轮廓为半圆形的平板状，所述壳体的圆心处设置有一缺口；
所述加热装置包括两个加热部，在安装状态下两个所述加热部拼接成圆形，两个所述缺口形成供所述挡板上的支撑柱通过的通孔。


4.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，所述加热部还包括设置在所述壳体内的多条热管，所述热管内填充有毛细结构以及工作流体；
所述热管从所述缺口附近径向向外延伸，相邻两条所述热管之间的夹角相等。


5.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于，所述壳体与所述挡板相抵接的表面设置成波浪状，以增大所述壳体与所述挡板之间的接触面积。


6.一种半导体设备，其特征在于，包括：
反应腔室，设置有开口；
挡板，用于启闭所述开口；
如权利要求1至5中任一项所述的加热装置，安装于所述挡板。


7.如权利要求6所述的半导体设备，其特征在于，所述预设温度的取值范围为110℃到130℃。


8.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34