基板检查方法和基板检查装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板检查方法和基板检查装置，能够在检查基板时准确地探测基板周缘部的宏观的异常。检查基板的方法包括以下工序：特征量获取工序，获取作为检查对象的所述基板的周缘部的图像、即检查对象周缘图像中的多个分割区域的各个分割区域的特征量，所述分割区域是将所述基板的周缘部的图像中的规定的区域进行分割所得到的区域；以及判定工序，基于所述特征量获取工序中的获取结果来进行与所述基板的周缘部的检查有关的规定的判定。

【技术实现步骤摘要】
基板检查方法和基板检查装置
本公开涉及一种基板检查方法和基板检查装置。
技术介绍
专利文献1公开了一种检查基板的周缘处的各面(表面、背面以及端面)的检查单元。该检查单元具备保持台、以下的镜构件以及照相机，该保持台构成为保持基板并使该基板旋转。镜构件相对于保持台的旋转轴倾斜，并且具有与被保持台保持的基板的端面及背面的周缘区域相向的反射面。另外，照相机具有摄像元件，来自被保持台保持的基板的表面的周缘区域的光和由镜构件的反射面对来自被保持台保持的基板的端面的光进行反射所得到的反射光一同经由透镜输入该摄像元件。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2017-152443号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开所涉及的技术能够在检查基板时准确地探测基板周缘部的宏观的异常。用于解决问题的方案本公开的一个方式是用于检查基板的方法，其包括以下工序：特征量获取工序，获取作为检查对象的所述基板的周缘部的图像、即检查对象周缘图像中的多个分割区域的各个分割区域的特征量，所述分割区域是将所述基板的周缘部的图像中的规定的区域进行分割所得到的区域；以及判定工序，基于所述特征量获取工序中的获取结果来进行与所述基板的周缘部的检查有关的规定的判定。专利技术的效果根据本公开，能够在检查基板时准确地探测基板周缘部处的宏观的异常。附图说明图1是示意性地表示本实施方式所涉及的基板处理系统的结构的概要的俯视图。图2是表示本实施方式所涉及的基板处理系统的内部结构的概要的侧视图。图3是表示本实施方式所涉及的基板处理系统的内部结构的概要的侧视图。图4是表示检查装置的结构的概要的横剖截面图。图5是表示检查装置的结构的概要的纵剖截面图。图6是表示周缘摄像子单元的结构的概要的侧视图。图7是示出来自基板的周缘部的光的反射状态的图。图8是示意性地表示控制部的结构的概要的框图。图9是示出检查对象图像的一例的图。图10A是示出基准周缘图像的一例的图。图10B是示出检查对象周缘图像的一例的图。图11A是示出摄像周缘图像的其它例的图。图11B是示出摄像周缘图像的其它例的图。图11C是示出摄像周缘图像的其它例的图。图12A是用于说明判定部中的判定和检查部中的检查的具体例的图。图12B是用于说明判定部中的判定和检查部中的检查的具体例的图。图13A是用于说明判定部中的判定和检查部中的检查的其它具体例的图。图13B是用于说明判定部中的判定和检查部中的检查的其它具体例的图。图13C是用于说明判定部中的判定和检查部中的检查的其它具体例的图。图13D是用于说明判定部中的判定和检查部中的检查的其它具体例的图。具体实施方式首先，对专利文献1中记载的以往的基板检查装置进行说明。在半导体器件的制造工序中，对作为基板的半导体晶圆(以下称作“晶圆”。)进行离子注入处理、成膜处理、光刻处理、蚀刻处理等各种处理。此外，在晶圆上形成规定的抗蚀图案的光刻处理中，依次进行在晶圆上涂布抗蚀液来形成抗蚀膜的处理、使以规定的图案进行了曝光的抗蚀膜显影的显影处理等。关于要进行与上述的半导体器件的制造工序有关的各种处理的晶圆，通过对其周缘部进行晶圆的研磨加工来使该周缘部变得比晶圆中央薄。因此，晶圆表面的周缘区域相对于晶圆表面的中央区域倾斜。另外，由于上述倾斜，再加上上述制造工序所涉及的各种处理中的处理条件的偏差等，难以对晶圆的周缘部进行状态的控制。对这样的晶圆的周缘部的状态进行监视来探测异常不仅有助于增加有效芯片数量，还有助于提高周缘部附近的芯片的成品率。因此，专利文献1的检查单元具备照相机以检查晶圆的周缘，所述照相机具有摄像元件，来自晶圆的表面的周缘区域的光以及由镜构件的反射面对来自晶圆的侧端面的光进行反射所得到的反射光被输入该摄像元件。换言之，专利文献1的检查单元拍摄晶圆的周缘部，并且基于摄像结果来检查晶圆的周缘部。像这样，作为使用基于晶圆的周缘部的摄像结果得到的摄像周缘图像来检查晶圆的周缘部的状态的方法，例如存在以下的方法。周围比较法是根据摄像图像内的作为检查对象的区域的图像与其周边区域的图像之差来检测异常的方法。另外，还存在根据摄像图像中的明暗来获取在晶圆形成的膜的边缘的位置的方法(边缘追踪法)。在该方法中，例如在沿晶圆的周缘部形成有环状膜的情况下，获取环状膜的内缘的位置。而且，能够计算从晶圆的边缘到环状膜的内缘的距离，基于计算结果来判定成膜是否合格。但是，在任意方法中都无法探测到宏观的异常。宏观的异常例如是在晶圆的周缘部沿该周缘部环状地形成有抗蚀膜的情况下的、如后述的图11C所示那样的状态等。在图11C中，与晶圆W的周端面侧相反一侧的抗蚀膜R的边缘是清晰的，但在晶圆W的周端面侧没有形成抗蚀膜R。在存在如图11C所示那样的异常的情况下，在上述的周围比较法中判定为在中央部形成有圆形膜，在上述的边缘追踪法中能够获取到抗蚀膜的边缘，因此判定为不存在异常。此外，在与晶圆的周缘部有关的检查中，预先登记作为基准的基板图像(黄金图像)，不通过基于该黄金图像进行的图案匹配来进行异常判定。这是因为：在晶圆的周缘部，图案间的匹配不良，即使将图像进行比较也难以进行准确的异常判定。下面，参照附图来说明本实施方式所涉及的用于能够在检查基板时探测到基板周缘部的宏观的异常的基板处理方法和基板检查装置。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的标记，由此省略重复说明。图1是表示具备本实施方式所涉及的基板检查装置的基板处理系统1的结构的概要的俯视图。图2和图3分别是示意性地表示基板处理系统1的内部结构的概要的主视图和后视图。此外，在本实施方式中，以基板处理系统1是对晶圆W进行涂布显影处理的涂布显影处理系统的情况为例进行说明。如图1所示，基板处理系统1具有用于使收容有多张晶圆W的盒C搬入搬出的盒交接站10、以及具备用于对晶圆W实施规定处理的多种处理装置的处理站11。而且，基板处理系统1具有将盒交接站10、处理站11、以及与处理站11相邻的用于与曝光装置12之间进行晶圆W的交接的接口站13连接为一体而成的结构。在盒交接站10设置有盒载置台20。在盒载置台20设置有多个盒载置板21，所述盒载置板21用于在相对于基板处理系统1的外部搬入搬出盒C时载置盒C。在盒交接站10设置有在沿X方向延伸的搬送路22上移动自如的晶圆搬送装置23。晶圆搬送装置23还在上下方向上移动自如并且绕铅垂轴(θ方向)移动自如，能够在各盒载置板21上的盒C与后述的处理站11的第三块G3的交接装置之间搬送晶圆W。在处理站11设置有具备各种装置的多个块，例如四个块G1、G2、G3、G4。例如，在处理站11的正面侧(图1的X方向负方向侧)设置有第一块G1，在处理站11的背面侧(图1的X方向正方向侧)设置有第二块G2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板检查方法，用于检查基板，所述基板检查方法包括以下工序：/n特征量获取工序，获取作为检查对象的所述基板的周缘部的图像、即检查对象周缘图像中的多个分割区域的各个分割区域的特征量，所述分割区域是将所述基板的周缘部的图像中的规定的区域进行分割所得到的区域；以及/n判定工序，基于所述特征量获取工序中的获取结果来进行与所述基板的周缘部的检查有关的规定的判定。/n

【技术特征摘要】
20180719 JP 2018-1357911.一种基板检查方法，用于检查基板，所述基板检查方法包括以下工序：
特征量获取工序，获取作为检查对象的所述基板的周缘部的图像、即检查对象周缘图像中的多个分割区域的各个分割区域的特征量，所述分割区域是将所述基板的周缘部的图像中的规定的区域进行分割所得到的区域；以及
判定工序，基于所述特征量获取工序中的获取结果来进行与所述基板的周缘部的检查有关的规定的判定。


2.根据权利要求1所述的基板检查方法，其特征在于，
在所述判定工序中，基于所述特征量获取工序中的获取结果以及基准周缘图像中的所述分割区域的所述特征量来进行所述规定的判定，所述基准周缘图像是成为所述规定的判定的基准的所述基板的周缘部的图像。


3.根据权利要求1或2所述的基板检查方法，其特征在于，
所述特征量是所述分割区域中的像素值的平均值。


4.根据权利要求1或2所述的基板检查方法，其特征在于，
所述特征量是所述分割区域中的像素值的标准偏差。


5.根据权利要求1或2所述的基板检查方法，其特征在于，
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【专利技术属性】
技术研发人员：久野和哉，清富晶子，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP