在有机半导体聚合物中掺杂其他聚合物制造技术

公开了聚合物掺混物，其包括掺混了隔离聚合物的有机半导体(OSC)聚合物，及其制造方法。OSC聚合物包括二酮吡咯并吡咯稠合噻吩聚合物材料，以及稠合噻吩是β取代的。隔离聚合物包括非共轭骨架，并且隔离聚合物可以是以下一种：聚丙烯腈、烷基取代的聚丙烯腈、聚苯乙烯、聚磺酸酯、聚碳酸酯、弹性体嵌段共聚物，它们的衍生物、共聚物和混合物。方法包括在有机溶剂中掺混OSC聚合物和隔离聚合物以产生聚合物掺混物，以及在基材上沉积聚合物掺混物的薄膜。还公开了包含半导体薄膜的有机半导体装置，所述半导体薄膜包含OSC聚合物。

Doping other polymers into organic semiconductor polymers

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在有机半导体聚合物中掺杂其他聚合物本申请根据35U.S.C.§119，要求2017年06月08日提交的美国临时申请系列第62/516,943号的优先权，本文以其作为基础并将其全文通过引用结合于此。
本专利技术一般地涉及含有有机半导体聚合物的聚合物掺混物。
技术介绍
有机半导体被用于各种应用，包括电子件、有机晶体管、有机发光二极管(OLED)、有机集成电路以及有机太阳能电池等。在许多应用中，强化有机半导体的性能是感兴趣的。
技术实现思路
一个实施方式涉及聚合物掺混物，其包括掺混了隔离聚合物的有机半导体聚合物。在一些实施方式中，有机半导体聚合物是二酮吡咯并吡咯稠合噻吩聚合物材料。在一些实施方式中，稠合噻吩是β取代的。在一些实施方式中，隔离聚合物具有非共轭骨架。在一些实施方式中，隔离聚合物选自下组：聚丙烯腈、烷基取代的聚丙烯腈、聚苯乙烯、聚磺酸酯、聚碳酸酯、弹性体嵌段共聚物，它们的衍生物、共聚物和混合物。在一些实施方式中，任意前述段落的实施方式还可以包括有机半导体聚合物，其包含如下化学式1’或2’的重复单元：...

【技术保护点】
1.一种聚合物掺混物，其包含：/n掺混了隔离聚合物的有机半导体聚合物；/n其中，有机半导体聚合物是二酮吡咯并吡咯稠合噻吩聚合物材料，其中，稠合噻吩是β取代的，/n其中，隔离聚合物具有非共轭骨架，以及/n其中，隔离聚合物选自下组：聚丙烯腈、烷基取代的聚丙烯腈、聚苯乙烯、聚磺酸酯、聚碳酸酯、弹性体嵌段共聚物，它们的衍生物、共聚物和混合物。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170608 US 62/516,9431.一种聚合物掺混物，其包含：
掺混了隔离聚合物的有机半导体聚合物；
其中，有机半导体聚合物是二酮吡咯并吡咯稠合噻吩聚合物材料，其中，稠合噻吩是β取代的，
其中，隔离聚合物具有非共轭骨架，以及
其中，隔离聚合物选自下组：聚丙烯腈、烷基取代的聚丙烯腈、聚苯乙烯、聚磺酸酯、聚碳酸酯、弹性体嵌段共聚物，它们的衍生物、共聚物和混合物。


2.如权利要求1所述的聚合物掺混物，其中，所述有机半导体聚合物包括如下化学式1’或2’的重复单元：






其中，在结构1’和2’中，m是大于或等于1的整数；n是0、1或2；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和R8可以独立地是氢、取代或未经取代的C4或更大的烷基、取代或未经取代的C4或更大的烯基、取代或未经取代的C4或更大的炔基或者C5或更大的环烷基；a、b、c、和d独立地是大于或等于3的整数；e和f是大于或等于0的整数；X和Y独立地是共价键、任选取代的芳基基团、任选取代的杂芳基、任选取代的稠合芳基或稠合杂芳基基团、炔或烯；以及A和B可以独立地是S或O，前提条件是：
i.R1或R2中的至少一个；R3或R4中的一个；R5或R6中的一个；以及R7或R8中的一个是取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基或环烷基；
ii.如果R1、R2、R3或R4中的任一个是氢的话，则R5、R6、R7或R8没有一个是氢；
iii.如果R5、R6、R7或R8中的任一个是氢的话，则R1、R2、R3或R4没有一个是氢；
iv.e和f不可以都是0；
v.如果e或f中任一个是0的话，则c和d独立地是大于或等于5的整数；以及
vi.聚合物具有分子量，其中，聚合物的分子量大于10,000。


3.如权利要求1所述的聚合物掺混物，其中，所述隔离聚合物是聚苯乙烯及其衍生物。


4.如权利要求3所述的聚合物掺混物，其中，聚苯乙烯的分子量大于5000。


5.如权利要求3所述的聚合物掺混物，其中，聚苯乙烯的分子量大于10,000。


6.如权利要求1所述的聚合物掺混物，其中，所述隔离聚合物形成有机半导体与空气界面之间的包封层。


7.如权利要求1所述的聚合物掺混物，其中，所述隔离聚合物优先于所述有机半导体聚合物发生氧化。


8.如权利要求7所述的聚合物掺混物，其中，优先于有机半导体聚合物发生氧化的隔离聚合物是聚丙烯腈、烷基取代的聚丙烯腈或其共聚物。


9.如权利要求1所述的聚合物掺混物，其中，掺混物中的有机半导体聚合物与隔离聚合物的重量比是95:5至5:95。


10.如权利要求9所述的聚合物掺混物，其中，掺混物中的有机半导体聚合物与隔离聚合物的重量比是80:20至40:60。


11.如权利要求9所述的聚合物掺混物，其中，掺混物中的有机半导体聚合物与隔离聚合物的重量比是55:45至65:35。


12.一种制造有机半导体装置的方法，其包括：
在有机溶剂中，掺混有机半导体聚合物和隔离聚合物以产生聚合物掺混物；以及
在基材上沉积聚合物掺混物的薄膜；
其中，
有机半导体聚合物是二酮吡咯并吡咯稠合噻...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺明谦，李阳，J·R·马修斯，K·梅罗特拉，钮渭钧，A·L·华莱士，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US