【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含氟单体、含氟聚合物与使用其的图案形成用组合物、及其图案形成方法
本专利技术涉及一种含氟单体、含氟聚合物及使用其的图案形成用组合物、以及该图案形成方法。尤其涉及一种含氟聚合物及作为其前体的含氟单体、及使用其的图案形成用组合物、及其图案形成方法，上述含氟聚合物可用于半导体制造中的光刻所使用的抗蚀材料，或者在电子设备制造中通过墨形成电子电路等、例如通过使用导电性墨的印刷在玻璃制或树脂制的基板上利用导电膜墨形成图案电路的印刷电子技术(Printedelectronics)。
技术介绍
已知含氟聚合物由于其化学结构中具有氟原子而具有优异的性质。具有拒水性、耐热性、透明性、低折射率性及感光性等的含氟聚合物可作为半导体制造中的抗蚀材料及印刷电子技术中的图案形成材料使用。对于半导体制造中的抗蚀材料所使用的具有酸分解性基团的含氟聚合物，添加光产酸剂并制成抗蚀膜，通过光照射由光产酸剂产生酸，因所产生的酸使酸分解性基团自含氟聚合物解离，由此可溶或不溶于显影液的性质产生变化，能使抗蚀膜形成图案。在印刷电子技术中，应用含氟聚合物作为...
【技术保护点】
1.一种含氟聚合物，其含有式(1)所示的重复单元，/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170605 JP 2017-111208;20180524 JP 2018-0993061.一种含氟聚合物，其含有式(1)所示的重复单元，
式(1)中，R1为氢原子、氟原子、或者碳数1～10的直链状或碳数3～10的支链状的烷基，与烷基中的碳原子键合的氢原子中的7个以下任选被氟原子取代；R2～R5为氢原子、碳数1～10的直链状或碳数3～10的支链状的烷基，与烷基中的碳原子键合的氢原子中的7个以下任选被氟原子取代；X为单键或2价的基团，2价的基团所含的7个以下的氢原子任选被氟原子取代；Y为碳数1～3的含氟烷基或羧酸酯基(-COOR)，含氟烷基或羧酸酯基所含的7个以下的氢原子任选被氟原子取代；R为碳数1～3的含氟烷基。
2.根据权利要求1所述的含氟聚合物，其中，所述式(1)中的R2、R4、R5为氢原子。
3.根据权利要求2所述的含氟聚合物，其中，所述式(1)中的Y为三氟甲基。
4.一种抗蚀图案形成用组合物，其含有权利要求1至3中任一项所述的含氟聚合物、产酸剂、碱性化合物及溶剂。
5.一种抗蚀图案的形成方法，其包括如下步骤：
制膜步骤，其将权利要求4所述的抗蚀图案形成用组合物涂布在基板上而形成膜；
曝光步骤，其通过掩模照射曝光波长300nm以下的电磁波或高能射线，而将掩模的图案转印至膜上；及
显影步骤，其使用显影液对膜进行显影而得到图案。
6.一种墨图案形成用组合物，其含有权利要求1至3中任一项所述的含氟聚合物、产酸剂及溶剂。
7.一种墨图案的形成方法，其包括如下步骤：
制膜步骤，其将权利要求6所述的墨图案形成用组合物涂布在基板上而形成膜；
曝光步骤，其通过掩模对膜照射曝光波长150nm以上且500nm以下的光，将掩模的图案转印至膜上，获得具有疏液部和亲液部的图案形成膜；及
墨图案形成步骤，其在所获得的图案形成膜上涂布墨。
8.一种墨图案形成方法，其包括如下步骤：
制膜步骤，其将权利要求6所述的墨图案形成用组合物涂布在基板上并对所获得的涂膜进行加热；
描绘步骤，其接着通过描绘装置对膜扫描曝光波长150nm以上且500nm以下的光，将图案描绘于膜上，获得具有疏液部和亲液部的图案形成膜；及
墨图案形成步骤，其在所获得的图案形成膜上涂布墨。
9.一种含氟单体，其由式(4)表示；
式(4)中，R1为氢原子、氟原子、或者碳数1～10的直链状或碳数3～10的支链状的烷基，与烷基中的碳原子键合的氢原子中的7个以下任选被氟原子取代；R2～R5为氢原子、碳数1～10的直链状或碳数3～10的支链状的烷基，与烷基中的碳原子键合的氢原子中的7个以下任选被氟原...
【专利技术属性】
技术研发人员：兼子让，板仓翼，滩野亮，
申请(专利权)人：中央硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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