有机半导体材料和电子构件制造技术

包括至少一种基质材料和至少一种掺杂材料的有机半导体材料，其中，选用由辐射三烯化合物制成的掺杂材料，并且其中，选用由三联苯二胺化合物制成的基质材料；以及有机构件；和用于制造经掺杂的半导体层的混合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包括至少一种基质材料和至少一种掺杂材料的有机半导体材料；包括这种有机半导体材料的有机构件；以及包括至少一种基质材料和至少一种掺杂材料的、用于制造经掺杂的半导体层的混合物。所述掺杂材料用于改变基质材料的电学特性。
技术介绍
近几年来公知的是可以通过掺杂(电学掺杂)使有机的半导体在其导电能力方面受到大大影响。这种有机半导体基质材料可以要么由具有良好电子供体特性的化合物来构造，要么由具有良好电子受体特性的化合物来构造。为了对电子供体材料(HT)进行掺杂，(US7074500)已公知的是强的电子受体、如四氰醌二甲烷(TCNQ)或者2，3，5，6-四氟-四氰-1，4-对苯醌二甲烷(F4TCNQ)。这些电子受体通过电子迁移过程在电子供体类型的基础材料(空穴传输材料)中产生所谓的空穴，通过这些空穴的数目和活动性，或多或少地显著 改变基础材料的传导能力。作为具有空穴传输特性的基质材料公知的是例如N，N’ -全芳基化联苯胺(TPD)或者N，N’，N"-全芳基化星形化合物，如物质TDATA、或者还有确定的金属酞菁、如尤其酞菁锌ZnPc。但是，这些迄今为止所描述的化合物对于技术上的应用而言本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：安斯加尔·维尔纳，萨沙·多罗克，卡斯滕·罗特，迈克尔·菲利斯特，沃尔克·利舍夫斯基，米尔科·曲纳耶夫，
申请(专利权)人：诺瓦莱德公开股份有限公司，森西特图像技术有限公司，
类型：
国别省市：