【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法、MEMS麦克风及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构的形成方法、MEMS麦克风及其形成方法。
技术介绍
采用微电子机械系统工艺(MicroElectroMechanicalSystem，MEMS)形成的MEMS麦克风，由于其在小型化、性能、可靠性、环境耐用性、成本和批量生产能力方面的潜在优势而可以广泛地用于许多应用中，诸如手机、平板电脑、相机、助听器、智能玩具以及监视装置。其中，MEMS麦克风中其单位元件通常包括：一衬底、以及依次形成在所述衬底上的振动膜和背极板。其中，在所述衬底中还形成有一背腔，所述背腔暴露出所述振动膜，并为所述振动膜提供振动空间。由于振动膜可通过背腔暴露在外部，从而在使用MEMS麦克风时或者对MEMS硅麦克风进行封装时(例如将其安装在印刷电路板(PCB)上)，外界中的颗粒等污染物质极易进入到背腔中，进而会对MEMS麦克风的性能造成影响，甚至导致MEMS麦克风失效。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体结构的形...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供一初始衬底，所述初始衬底上形成有滤网膜，所述滤网膜具有一通孔区和一外围区，所述外围区位于所述通孔区的外围，并且所述通孔区中开设有多个通孔；/n在所述滤网膜上形成一牺牲层，所述牺牲层填充所述通孔；/n在所述牺牲层上键合一支撑载板；/n从所述初始衬底背离所述支撑载板的表面减薄所述初始衬底以形成第一衬底，并刻蚀所述第一衬底以形成一贯穿所述第一衬底的开口，所述开口暴露出所述滤网膜中的所述通孔区；以及，/n通过所述滤网膜中的通孔，至少部分去除所述牺牲层并移除所述支撑载板。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供一初始衬底，所述初始衬底上形成有滤网膜，所述滤网膜具有一通孔区和一外围区，所述外围区位于所述通孔区的外围，并且所述通孔区中开设有多个通孔；
在所述滤网膜上形成一牺牲层，所述牺牲层填充所述通孔；
在所述牺牲层上键合一支撑载板；
从所述初始衬底背离所述支撑载板的表面减薄所述初始衬底以形成第一衬底，并刻蚀所述第一衬底以形成一贯穿所述第一衬底的开口，所述开口暴露出所述滤网膜中的所述通孔区；以及，
通过所述滤网膜中的通孔，至少部分去除所述牺牲层并移除所述支撑载板。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述牺牲层上键合所述支撑载板的方法包括：
在所述牺牲层上形成一键合胶层；以及，
在所述键合胶层上键合所述支撑载板。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，至少部分去除所述牺牲层并移除所述支撑载板的方法包括：
提供一刻蚀剂，所述刻蚀剂通过所述滤网膜中的通孔，去除所述牺牲层中对应所述通孔区的部分，以使所述支撑载板中对应所述通孔区的部分和所述第一衬底分离；以及，
利用激光扫描所述键合胶层中对应所述外围区的部分，以使所述键合胶层中对应所述外围区的部分脱离所述支撑载板，从而移除所述支撑载板。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述激光为一激光束光源，利用激光扫描所述键合胶层中对应所述外围区的部分的方法包括：使所述激光束光源沿着所述滤网膜的外围区扫描所述键合胶层。
5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述激光为一整面性激光光源，利用激光扫描所述键合胶层中对应所述外围区的部分的方法包括：利用一掩膜版遮盖对应所述通孔区的部分，以使所述整面性激光光源透过所述掩膜版照射到所述键合胶层中对应所述外围区的部分。
6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在去除所述牺牲层中对应所述通孔区的部分之后，以及移除所述支撑载板之前，还包括：
在所述第一衬底背离所述支撑载板的表面上贴附一保护膜，所述保护膜用于固定所述第一衬底。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一衬底的厚度小于等于100um。
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述滤网膜的厚度小于等于2um。
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述初始衬底上还形成有刻蚀停止层，所述滤网膜形成在所述刻蚀停止层上，所述第一衬底中的所述开口的形成方法包括：
对...
【专利技术属性】
技术研发人员：付俊，程晋广，陈福成，施林波，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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