【技术实现步骤摘要】
用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统
本专利技术涉及一种用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统，属于原子层沉积
技术介绍
原子层沉积技术(AtomicLayerDeposition，ALD)是一种特殊的化学气相沉积技术，是将前驱体源脉冲交替通入反应室并在衬底表面发生化学吸附形成薄膜的一种方法，由于其独特的自限制以及自饱和生长原理，优异的共性性，大面积的均匀性以及精确的膜厚控制，使其在微电子、光学、纳米技术、能源、催化、生物医药、显示器、耐腐蚀及保护层等领域的应用呈现爆发式增长。ALD技术首先是一种气相沉积技术，可以配备不同种类的前躯体源沉积各种氧化物、氮化物、硫化物、单质以及多元化合物的薄膜。市面上所出售ALD设备可配备3-12路前驱体源，所有前躯体都是以气态的形式输送到反应腔室发生化学吸附，气态源可以渗透到的地方均可以镀膜，这就导致不同薄膜之间的交互污染，影响薄膜的纯度以及质量。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中存在的不足，提供一种用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统，其可以避免不同薄膜之间...
【技术保护点】
1.用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统，包括柜体(1)、反应腔(2)、进样中转腔(3)、前驱体输送系统和抽气系统；其特征在于：所述柜体(1)包括前柜体(1.1)和后柜体(1.2)，所述前柜体(1.1)的高度低于后柜体(1.2)；/n所述反应腔(2)安装在前柜体(1.1)顶部，反应腔(2)包含外腔体(2.1)和多个内腔处理单元(2.2)，多个所述的内腔处理单元(2.2)在外腔体(2.1)内呈多层分布，每个内腔处理单元(2.2)均包括内腔体(2.2a)、内腔上盖(2.2b)和内腔加热器(2.2c)，所述内腔上盖(2.2b)盖合在内腔体(2.2a)的上端开口处，内腔体(2.2a)与...
【技术特征摘要】
1.用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统，包括柜体(1)、反应腔(2)、进样中转腔(3)、前驱体输送系统和抽气系统；其特征在于：所述柜体(1)包括前柜体(1.1)和后柜体(1.2)，所述前柜体(1.1)的高度低于后柜体(1.2)；
所述反应腔(2)安装在前柜体(1.1)顶部，反应腔(2)包含外腔体(2.1)和多个内腔处理单元(2.2)，多个所述的内腔处理单元(2.2)在外腔体(2.1)内呈多层分布，每个内腔处理单元(2.2)均包括内腔体(2.2a)、内腔上盖(2.2b)和内腔加热器(2.2c)，所述内腔上盖(2.2b)盖合在内腔体(2.2a)的上端开口处，内腔体(2.2a)与内腔上盖(2.2b)构成沉积腔室，所述内腔加热器(2.2c)设置在内腔体(2.2a)底部；每个内腔处理单元(2.2)均对应配备一套前驱体输送系统和一套抽气系统，内腔处理单元(2.2)的内腔体(2.2a)上设有前驱体入口和排气口，所述前驱体入口与对应的前驱体输送系统连接，所述排气口与所述抽气系统连接；
所述进样中转腔(3)安装在前柜体(1.1)顶部并与反应腔(2)相邻，进样中转腔(3)包括进样中转壳体(3.1)，所述进样中转壳体(3.1)背离反应腔(2)的一侧设有样品放入口，所述样品放入口配装有中转密封门(3.2)；进样中转腔(3)与反应腔(2)中的每个内腔处理单元(2.2)之间均设有一件插板阀(4)，所述搬运机器人装置(5)设置在进样中转腔(3)内，搬运机器人装置(5)能够将样品经插板阀(4)送入到对应的内腔处理单元(2.2)中。
2.如权利要求1所述的用于高纯薄膜沉积的原子层沉积系统，其特征在于：所述原子层沉积系统还包括等离子体辅助系统，所述等离子体辅助系统包括屏蔽罩(6)、等离子体输送管路(7)、匹配器(8)、石英管(9)、等离子体加热器(10)和等离子体输入机构，所述屏蔽罩(6)设置在反应腔(2)和后柜体(1.2)的顶部，所述等离子体输送管路(7)、匹配器(8)、石英管(9)和等离子体加热器(10)设置在屏蔽罩(6)内，等离子体输送管路(7)的进口端连接等离子体输入机构，等离子体输送管路(7)的出口连接石英管(9)，所述石英管(9)另一端与反应腔(2)内最上端的内腔处理单元(2.2)中的内腔体(2.2a)连通，所述等离子体加热器(10)套设在石英管(9)上；所述等离子体输入机构设置在后柜体(1.2)内，等离子体输入机构包括若干个并联设置的等离子体输入组件，每个等离子体输入组件均包括第二流量计(11)和ALD隔膜阀(12)，第二流量计(11)的进口处安装前端管路(13)，第二流量计(11)的出口连接ALD隔膜阀(12)的进口，ALD隔膜阀(12)的出口经后端管路(14)与等离子体输送管路(7)的进口端连接。
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【专利技术属性】
技术研发人员：陆雪强，潘晓霞，左雪芹，
申请(专利权)人：江苏迈纳德微纳技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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