银纳米线导电薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术属于纳米材料技术领域，具体涉及一种银纳米线导电薄膜及其制备方法。该银纳米线导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：提供基板；在所述基板上涂布银纳米线墨水，然后进行干燥处理，得到初始银纳米线薄膜；在所述初始银纳米线薄膜表面涂布聚硅氮烷溶液，然后固化处理，得到银纳米线导电薄膜。用聚硅氮烷溶液固化形成的聚硅氮烷固化层作为保护层，具有透明性高、硬度高、介电性能好以及优异的水氧阻隔性能，从而提高了银纳米线导电薄膜的耐候性。

【技术实现步骤摘要】
银纳米线导电薄膜及其制备方法
本专利技术属于纳米材料
，具体涉及一种银纳米线导电薄膜及其制备方法。
技术介绍
银纳米线(SilverNanowires，AgNWs)一般是指长度在微米尺度、直径在纳米尺度的一维银金属材料。银纳米线制成的透明导电薄膜具有透明性好、方阻低、可弯折等优点，可以应用于大尺寸触控和柔性触控等领域。银纳米线的比表面积大，容易与空气中的水汽、氧气和硫化物发生反应，生成Ag2O和Ag2S等不具有导电性的金属化合物，使银纳米线透明导电薄膜丧失导电性。目前，行业的通常做法是在干燥好的银纳米线层上涂布一层有机高分子涂料作为保护层(OC，OverCoating)。银纳米线层上的保护层存在如下问题：有机高分子的分子堆积时较为松散，因此在银纳米线上的阻隔水汽效果不理想，而且有机高分子与银单质的表面极性不匹配，导致涂布后的有机高分子不能很好地润湿银纳米线表面，从而使银纳米线膜层出现直径为20-100nm不等的小孔，这样的银纳米线导电薄膜做成器件使用时，空气中的水汽、氧气或硫化物会通过小孔快速扩散到银纳米线导电层中将其破坏，从而使本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种银纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n提供基板；/n在所述基板上涂布银纳米线墨水，然后进行干燥处理，得到初始银纳米线薄膜；/n在所述初始银纳米线薄膜表面涂布聚硅氮烷溶液，然后固化处理，得到银纳米线导电薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种银纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基板；
在所述基板上涂布银纳米线墨水，然后进行干燥处理，得到初始银纳米线薄膜；
在所述初始银纳米线薄膜表面涂布聚硅氮烷溶液，然后固化处理，得到银纳米线导电薄膜。


2.如权利要求1所述的银纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，以所述聚硅氮烷溶液的总质量为100％计，所述聚硅氮烷溶液包括：聚硅氮烷0.5-5％，表面流平剂0.01-0.5％，表面润湿剂0.01-0.5％，余量为有机溶剂。


3.如权利要求2所述的银纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述聚硅氮烷的结构通式如下所示：



其中，n为聚合度，R1和R2分别独立选自氢和烷基中的任意一种；和/或，
所述表面流平剂选自Glide-100、Glide-432、Glide-435、Glide-440、Flow-300、Flow-425、BYK-333、BYK-361、BYK-371和BYK-373中的至少一种；和/或，
所述表面润湿剂选自DISPERBYK-111、DISPERBYK-168、DISPERBYK-180、Dispers-652和Dispers-710中的至少一种；和/或，
所述有机溶剂选自乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、丙酮、丁酮、环己酮、甲苯、对二甲苯、间二甲苯、邻二甲苯、二氯甲烷、四氢呋喃、乙醚、正己烷和正戊烷中的至少一种。


4.如权利要求3所述的银纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述聚硅氮烷的重均分子量为300-5000；和/或，
所述聚硅氮烷中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李奇琳，王新月，甘堃，陈超云，
申请(专利权)人：深圳市善柔科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44