银纳米线导电薄膜和触控器件制造技术

本实用新型专利技术属于导电材料技术领域，具体涉及一种银纳米线导电薄膜和触控器件。所述银纳米线导电薄膜包括：层叠设置在基板上的银纳米线膜层和光阻干膜层；其中，所述银纳米线膜层与所述基板相邻，且所述银纳米线膜层与所述基板之间设置有边缘走线层。该银纳米线导电薄膜直接将刻蚀显影用的光阻干膜层充当该银纳米线膜层表面的保护作用，这样无需再另设该银纳米线膜层的保护层，从而降低成本，而该光阻干膜层曝光显影即可图案化，无需酸刻蚀和脱模，可减少环境污染；而基板上的银纳米线膜层耐弯折性能，可将边框部分完全折叠到背面，从而也可以实现真正意义上的“无边框”效果。

Silver nanowires conductive films and touch devices

【技术实现步骤摘要】
银纳米线导电薄膜和触控器件
本技术属于导电材料
，具体涉及一种银纳米线导电薄膜和触控器件。
技术介绍
随着科技的发展，可弯折、可卷曲的柔性光电器件逐渐被大众熟知，无论是在消费者领域，还是工业应用层面，均被认为具有广阔的应用前景。传统的光电器件一般用刚性的玻璃基板如氧化铟锡(ITO)做透明电极材料，显然不能满足柔性光电器件可弯折、甚至可卷曲的要求。为了解决这一问题，兼具高导电能力、高透光性、可折叠的银纳米线(SilverNanowires，AgNWs，简称银线)透明导电薄膜被用来替代ITO电极，可以应用于大尺寸触控和柔性触控等领域。窄边框/无边框是光电器件的发展趋势，目前大尺寸触控屏、折叠屏等应用兴起的同时，窄边框工艺以及发展到瓶颈阶段：传统的激光工艺制备器件的边框最宽，黄光蚀刻法制备的窄边框并不能完全实现无边框，在大尺寸光电器件应用中，边框仍然较宽，且污染较大如蚀刻使用强酸、脱膜使用强碱，对设备需求、环境保护都提出了重大挑战。因此，现有技术有待改进。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种银纳米线导电薄膜和触控器件，旨在解决现有器件边框较宽，且污染较大的技术问题。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：一种银纳米线导电薄膜，所述银纳米线导电薄膜包括：层叠设置在基板上的银纳米线膜层和光阻干膜层；其中，所述银纳米线膜层与所述基板相邻，且所述银纳米线膜层与所述基板之间设置有边缘走线层。在一个实施例中，所述边缘走线层为边缘走线银浆层或边缘走线铜箔层。在一个实施例中，所述边缘走线导电层的厚度为1-10um。在一个实施例中，所述银纳米线膜层的厚度为0.05-1um。在一个实施例中，所述光阻干膜层的厚度为1-100um。在一个实施例中，所述基板选自PET膜、TAC薄膜、PEN薄膜、CPI膜、COP膜、PDMS膜和玻璃膜中的任意一种。在一个实施例中，所述银纳米线导电薄膜为图案化的银纳米线导电薄膜。本技术的银纳米线导电薄膜包括层叠设置在基板上的银纳米线膜层和光阻干膜层，且银纳米线膜层与基板之间设置有边缘走线层；该银纳米线导电薄膜直接将刻蚀显影用的光阻干膜层充当该银纳米线膜层表面的保护作用，这样无需再另设该银纳米线膜层的保护层，可以降低成本，而该光阻干膜层曝光显影即可图案化，无需酸刻蚀和脱模，可减少环境污染；而基板上的银纳米线膜层耐弯折性能，可将边框部分完全折叠到背面，从而也可以实现真正意义上的“无边框”效果。一种触控器件，所述触控器件包括本技术所述的银纳米线导电薄膜和设置在所述银纳米线导电薄膜表面的盖板。在一个实施例中，所述盖板为玻璃盖板。在一个实施例中，所述盖板高分子盖板。本技术提供的触控器件包括了本技术提供的特有的银纳米线导电薄膜，该银纳米线导电薄膜直接将刻蚀显影用的光阻干膜层充当该银纳米线膜层表面的保护作用，这样无需再另设该银纳米线膜层的保护层，从而降低高触控器件的成本，减少环境污染。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的银纳米线导电薄膜的结构示意图；图2为本技术对比例提供的银纳米线导电薄膜的结构示意图；其中，图中各附图标记：1-基板；2-银纳米线膜层；3-光阻干膜层；4-边缘走线层；5-保护层(即OC层)。具体实施方式为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。需要说明的是，当元件被称为“设置在”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。一方面，本技术实施例提供了一种银纳米线导电薄膜，所述银纳米线导电薄膜包括：层叠设置在基板上的银纳米线膜层和光阻干膜层；其中，所述银纳米线膜层与所述基板相邻，且所述银纳米线膜层与所述基板之间设置有边缘走线层。本技术实施例提供的银纳米线导电薄膜包括层叠设置在基板上的银纳米线膜层和光阻干膜层，且银纳米线膜层与基板之间设置有边缘走线层；该银纳米线导电薄膜直接将刻蚀显影用的光阻干膜层充当该银纳米线膜层表面的保护作用，这样无需再另设该银纳米线膜层的保护层，从而降低成本，而该光阻干膜层曝光显影即可图案化，无需酸刻蚀和脱模，可减少环境污染；而基板上的银纳米线膜层耐弯折性能，可将边框部分完全折叠到背面，从而也可以实现真正意义上的“无边框”效果。所述边缘走线层起到引线导电作用，在一个实施例中，所述边缘走线层为边缘走线银浆层或边缘走线铜箔层。银纳米线导电薄膜与基板之间设置的边缘走线层可以更好地给薄膜传递电信号和将薄膜的电信号传导出来。在一个实施例中，所述边缘走线导电层的厚度为1-10um。具体实施例中，可以为2-3um。在一个实施例中，所述银纳米线膜层的厚度为0.05-1um。具体实施例中，可以为0.1um。在一个实施例中，所述光阻干膜层的厚度为1-100um。具体实施例中，可以为5-10um。无色透明的光阻干膜成分一般以丙烯酸酯树脂、聚氨酯丙烯酸酯等为主要成分，可以对银纳米线膜层起到很好的保护作用。在一个实施例中，本技术实施例的银纳米线导电薄膜为透明导电薄膜。所述基板为柔性基板，具体地，所述基板为PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯，PolyethyleneTerephthalate)膜、TAC(三醋酸纤维素，TriacetylCellulose)膜、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯，PolyethyleneNaphthalate)膜、PDMS(聚二甲基硅氧烷，Polydimethylsiloxane)膜、CPI(无色透明聚酰亚胺，ColorlessPolyimide)膜、COP(环烯烃共聚物，Cyclo-Olefinpolymer)膜和玻璃膜中的任意一种。在一个实施例中，所述银纳米线导电薄膜为图案化的银纳米线导电薄膜。将光阻干膜层曝光显影即可图案化。另一方面，本技术实施例还提供了一种触控器件，所述触控器件包括本技术实施例所述的银纳米线导电薄膜和设置在所述银纳米线导电薄膜表面的盖板。本技术实施例提供的触控器件包括了本技术实施例提供的特有的银本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种银纳米线导电薄膜，其特征在于，所述银纳米线导电薄膜包括：层叠设置在基板上的银纳米线膜层和光阻干膜层；其中，所述银纳米线膜层与所述基板相邻，且所述银纳米线膜层与所述基板之间设置有边缘走线层。/n

【技术特征摘要】
1.一种银纳米线导电薄膜，其特征在于，所述银纳米线导电薄膜包括：层叠设置在基板上的银纳米线膜层和光阻干膜层；其中，所述银纳米线膜层与所述基板相邻，且所述银纳米线膜层与所述基板之间设置有边缘走线层。


2.如权利要求1所述的银纳米线导电薄膜，其特征在于，所述边缘走线层为边缘走线银浆层或边缘走线铜箔层。


3.如权利要求1所述的银纳米线导电薄膜，其特征在于，所述边缘走线导电层的厚度为1-10um。


4.如权利要求1所述的银纳米线导电薄膜，其特征在于，所述银纳米线膜层的厚度为0.05-1um。


5.如权利要求1所述的银纳米线导电薄膜，其特征在于，所述光阻干膜层的厚度为1-1...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟祥浩，李奇琳，甘堃，陈超云，
申请(专利权)人：深圳市善柔科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44