透明导电膜、加热玻璃及电子设备制造技术

本实用新型专利技术公开一种透明导电膜、加热玻璃及电子设备。透明导电膜，其包括承载层和导电层，所述承载层的一侧设置有沟槽，沟槽呈相互连通的网格状，沟槽内填充导电材料形成导电网格；导电层整面设置且至少部分覆盖于承载层设置有导电网格的一侧，导电层于导电网格电性连接。通过导电网格与整面导电层的电性连接，可降低整面导电层的电阻，从而具有较好的加热性能或导电性能等。

Transparent conductive film, heating glass and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
透明导电膜、加热玻璃及电子设备
本技术涉及导电膜
，尤其涉及一种透明导电膜、加热玻璃及电子设备。
技术介绍
透明导电膜是一种既具有高的导电性，又对可见光有很好的透光性的优良性能的导电膜，具有广泛的应用前景。传统的透明导电膜经常采用ITO(IndiumTinOxides)材料，形成的导电层即为ITO层，ITO层可见光透过率约90％以上，具有很好的透过率。但当透明导电膜应用于例如加热玻璃或有机太阳能等领域中时，通常为整面设置的ITO层，而整面设置的ITO层具有较好的电阻，从而影响加热性能或导电性能等。鉴于此，本技术通过改善透明导电膜以解决所存在的技术问题。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种电磁屏蔽膜以解决上述的技术问题。本技术的一个技术方案是：一种透明导电膜，其包括：承载层，所述承载层的一侧设置有沟槽，所述沟槽呈相互连通的网格状；导电网格，所述沟槽内填充导电材料形成所述导电网格；导电层，所述导电层整面设置且至少部分覆盖于所述承载层设置有所述导电网格的一侧，所述导电层与所述导电网格电性连接。在其中一实施例中，所述导电层覆盖所述导电网格所在区域。在其中一实施例中，所述导电层为ITO层、Ag层或有机导电材料层。在其中一实施例中，所述导电层为涂布层，其厚度不大于2μ；或者，所述导电层为镀层，其厚度不大于400nm。在其中一实施例中，所述导电层包括相对设置的第一侧面和第二侧面，所述导电层背离所述承载层的第二侧面的表面粗糙度为不超过1μm。在其中一实施例中，所述导电网格的厚度小于、等于或大于所述沟槽的深度，所述导电网格与所述导电层的第一侧面电性接触。在其中一实施例中，所述沟槽内填充银浆形成所述导电网格。在其中一实施例中，所述导电网格的网格形状为蜂窝网格、圆形网格或随机网格，所述导电网格至少95％的网格线均与所述导电层电性接触。在其中一实施例中，还包括基材层，所述承载层位于所述基材层和导电层之间，所述基材层为玻璃层、有机玻璃层、PET层、PI层、PC层、CPI层、PMMA层或复合层。在其中一实施例中，所述沟槽的截面形状呈倒梯形，其包括倾斜直面或倾斜弧面。本技术还揭示一种加热玻璃，其包括第一玻璃层和第二玻璃层，所述加热玻璃还包括夹设于所述第一玻璃层和第二玻璃层之间的如上述所述的透明导电膜。在其中一实施例中，所述透明导电膜形成于所述第二玻璃层上，所述第一玻璃层和导电层之间设置有第一粘结层；或者，所述第一玻璃层和第一粘结层之间设置有第一粘结层，所述第二玻璃层和承载层之间设置有第二粘结层；或者，所述透明导电膜包括基材层，所述承载层设置于所述基材层和导电层之间，所述导电层和第一玻璃层之间设置有第一粘结层，所述基材层和第二玻璃层之间设置有第二粘结层。本技术还揭示一种电子设备，其包括如上述所述的透明导电膜，所述电子设备包括触摸屏、调光器、电致变色器件、太阳能电池、OLED器件或电磁屏蔽膜。本技术的有益效果：通过导电网格与整面导电层的电性连接，可降低整面导电层的电阻，从而具有较好的加热性能或导电性能等。附图说明图1为本技术透明导电膜的截面示意图；图2为本技术透明导电膜的另一种截面示意图；图3为本技术透明导电膜的另一种截面示意图；图4为本技术透明导电膜的另一种截面示意图；图5为本技术透明导电膜的另一种截面示意图；图6为本技术透明导电膜的另一种截面示意图；图7为本技术透明导电膜的另一种截面示意图；图8为本技术加热玻璃的截面示意图；图9为本技术加热玻璃的另一种截面示意图；图10为本技术电子设备的截面示意图。具体实施方式为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施方式。但是，本技术可以通过许多不同的形式来实现，并不限于下面所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本技术的公开内容理解的更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本技术揭示一种透明导电膜，其包括承载层和导电层，所述承载层的一侧设置有沟槽，沟槽呈相互连通的网格状，沟槽内填充导电材料形成导电网格；导电层整面设置且至少部分覆盖于承载层设置有导电网格的一侧，导电层于导电网格电性连接。通过导电网格与整面导电层的电性连接，可降低整面导电层的电阻，从而具有较好的加热性能或导电性能等。并可通过控制导电网格的网格大小和网格线的宽度等参数，比如加大网格、减小网格线宽度等，从而使得透明导电膜具有较好的透过率。导电层整面设置，也即导电层的导电材料连续设置而未被图形化或网格化，可对导电网格的设计并不严格，从而可得到相比单层导电网格更高的透过率。而相比单层导电层，因为导电网格的设置，可降低整面导电层的电阻，从而透明导电膜的透光率更高，电阻更低，加热性能或导电性能等更加优异。导电层整面覆盖承载层至少包括导电层覆盖所述导电网格所在区域，从而保证导电网格的网格线均与导电层电性接触。透明导电膜的引线可以从导电网格引出也可以从导电层引出。其中，导电层为ITO层、Ag层或有机导电材料层。在具有导电网格的承载层的一侧整面涂布ITO、银墨水或有机导电材料以形成整面的导电层。导电层为涂布层时，比如旋涂、刷涂等，其厚度不大于2μ，比如为0.8μm；或者，导电层为镀层，比如溅射镀、蒸镀、离子镀等，其厚度不大于400nm，比如为120nm。导电网格的厚度为1-10μm，导电网格的网格线的宽度为0.5-10μm，导电网格的单个网格的平均宽度为100-1000μm。其中，导电层包括相对设置的第一侧面和第二侧面，导电层背离承载层的第二侧面的表面粗糙度为不超过1μm。进一步，导电层的第二侧面可通过抛光磨平等方式得到较小的表面粗糙度，比如100nm以下，可满足应用于光电器件时的平整度要求。其中，导电网格的厚度小于、等于或大于沟槽的深度，导电网格与导电层的第一侧面电性接触。无论导电材料是未填满沟槽、正好填满沟槽、还是超出沟槽，导电网格的网格线均与导电层的第一侧面接触。导电层是在具有沟槽的承载层上直接形成，无论是涂布还是镀设，都可保证与导电网格的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种透明导电膜，其特征在于，其包括：/n承载层，所述承载层的一侧设置有沟槽，所述沟槽呈相互连通的网格状；/n导电网格，所述沟槽内填充导电材料形成所述导电网格；/n导电层，所述导电层整面设置且至少部分覆盖于所述承载层设置有所述导电网格的一侧，所述导电层与所述导电网格电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种透明导电膜，其特征在于，其包括：
承载层，所述承载层的一侧设置有沟槽，所述沟槽呈相互连通的网格状；
导电网格，所述沟槽内填充导电材料形成所述导电网格；
导电层，所述导电层整面设置且至少部分覆盖于所述承载层设置有所述导电网格的一侧，所述导电层与所述导电网格电性连接。


2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述导电层覆盖所述导电网格所在区域。


3.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述导电层为ITO层、Ag层或有机导电材料层。


4.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述导电层为涂布层，其厚度不大于2μ；或者，所述导电层为镀层，其厚度不大于400nm。


5.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述导电层包括相对设置的第一侧面和第二侧面，所述导电层背离所述承载层的第二侧面的表面粗糙度为不超过1μm。


6.根据权利要求5所述的透明导电膜，其特征在于，所述导电网格的厚度小于、等于或大于所述沟槽的深度，所述导电网格与所述导电层的第一侧面电性接触。


7.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述沟槽内填充金属形成所述导电网格。


8.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述导电网格的网...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘立冬，杨云良，孙超，
申请(专利权)人：昇印光电昆山股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32