【技术实现步骤摘要】
能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构及其制作方法
本专利技术涉及一种能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构及其制作方法,本专利技术属于MOS
技术介绍
沟槽技术MOS(即金属-氧化物半导体场效应晶体管)器件越来越广泛的应用在大电流直流对直流电源转换,或是同步整流的电路,例如绿色电源、电动汽车与电池管理等领域。但是沟槽MOS器件在追求微小化的同时,也面临了导通电阻和栅极电荷同时增加带来的能效问题。
技术实现思路
本专利技术的目的之一是克服现有技术中存在的不足,提供一种能提高器件耐压、能改善反向恢复特性、具有更低的导通电阻、输入和输出寄生电容值、反向恢复电流峰值和恢复软度特性的屏蔽栅MOS结构。本专利技术的另一目的是提供一种能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构的制作方法。按照本专利技术提供的技术方案,所述能改善反向恢复特性的阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS结构,它包括元胞区和终端保护区,元胞区位于器件的中心区,元胞区由若干个MOS器件单元体并联而成;所述MOS器件单元体包括半导体基板,且半导体基板包括第一导电类型重掺杂衬底及固定于第一导电类型重掺杂衬底的上表面上的第一导电类型外延层,在第一导电类型外延层的上表面设有第二导电类型上体区,在第二导电类型上体区的上表面设有第一导电类型源极区,在第一导电类型源极区的上表面设有绝缘介质层,在绝缘介质层的上表面设有源极金属层,在绝缘介质层与第一导电类型源极区的外侧设有设有源极接触孔,在源极接触孔内填满源极接触金属,源极接触金属的上端与源极 ...
【技术保护点】
1.一种能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构,它包括元胞区和终端保护区,元胞区位于器件的中心区,元胞区由若干个MOS器件单元体并联而成;其特征是:/n所述MOS器件单元体包括半导体基板,且半导体基板包括第一导电类型重掺杂衬底(1)及固定于第一导电类型重掺杂衬底(1)的上表面上的第一导电类型外延层(2),在第一导电类型外延层(2)的上表面设有第二导电类型上体区(13),在第二导电类型上体区(13)的上表面设有第一导电类型源极区(14),在第一导电类型源极区(14)的上表面设有绝缘介质层(15),在绝缘介质层(15)的上表面设有源极金属层(17),在绝缘介质层(15)与第一导电类型源极区(14)的外侧设有设有源极接触孔(11),在源极接触孔(11)内填满源极接触金属(16),源极接触金属(16)的上端与源极金属层(17)相接,源极接触金属(16)的下端与第二导电类型上体区(13)相接;/n从第一导电类型源极区(14)的上表面向下开设有栅氧化层沟槽(3),且在从上往下的方向上,栅氧化层沟槽(3)依次穿过第一导电类型源极区(14)、第二导电类型上体区(13)、第一导电类型外延层(2)与第二导电 ...
【技术特征摘要】
1.一种能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构,它包括元胞区和终端保护区,元胞区位于器件的中心区,元胞区由若干个MOS器件单元体并联而成;其特征是:
所述MOS器件单元体包括半导体基板,且半导体基板包括第一导电类型重掺杂衬底(1)及固定于第一导电类型重掺杂衬底(1)的上表面上的第一导电类型外延层(2),在第一导电类型外延层(2)的上表面设有第二导电类型上体区(13),在第二导电类型上体区(13)的上表面设有第一导电类型源极区(14),在第一导电类型源极区(14)的上表面设有绝缘介质层(15),在绝缘介质层(15)的上表面设有源极金属层(17),在绝缘介质层(15)与第一导电类型源极区(14)的外侧设有设有源极接触孔(11),在源极接触孔(11)内填满源极接触金属(16),源极接触金属(16)的上端与源极金属层(17)相接,源极接触金属(16)的下端与第二导电类型上体区(13)相接;
从第一导电类型源极区(14)的上表面向下开设有栅氧化层沟槽(3),且在从上往下的方向上,栅氧化层沟槽(3)依次穿过第一导电类型源极区(14)、第二导电类型上体区(13)、第一导电类型外延层(2)与第二导电类型下体区(4),栅氧化层沟槽(3)的下端位于第二导电类型下体区(4)内,在栅氧化层沟槽(3)内填满栅氧化层(5),在栅氧化层(5)的下端外部设有球型的第二导电类型下体区(4),第二导电类型下体区(4)包围所述的栅氧化层(5);
从所述栅氧化层(5)的上表面向下开设有栅极导电多晶硅凹槽(10),在栅极导电多晶硅凹槽(10)内填满栅极导电多晶硅(12),在栅极导电多晶硅(12)下方的栅氧化层(5)内设有呈阶梯型的屏蔽栅腔体(6),且在从上往下的方向上,屏蔽栅腔体(6)的内径呈逐级缩小设置,在屏蔽栅腔体(6)内填满屏蔽栅(9)。
2.如权利要求1所述的能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构,其特征是:所述屏蔽栅腔体(6)中每个阶梯的高度为1~3um。
3.如权利要求1所述的能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构,其特征是:所述栅极导电多晶硅(12)与屏蔽栅(9)之间的栅氧化层(5)的厚度为1000A~5000A。
4.如权利要求1所述的能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构,其特征是:所述栅氧化层沟槽(3)的深度为4~10um。
5.如权利要求1所述的能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构,其特征是:所述第一导电类型重掺杂衬底(1)、第一导电类型外延层(2)与第一导电类型源极区(14)为N型时,第二导电类型下体区(4)与第二导电类型上体区(13)为P型。
6.如权利要求1所述的能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构,其特征是:所述第一导电类型重掺杂衬底(1)、第一导电类型外延层(2)与第一导电类型源极区(14)为P型时,第二导电类型下体区(4)与第二导电类型上体区(13)为N型。
7.一种能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构的制作方法包括以下步骤:
步骤一.提供第一导电类型重掺杂衬底(1),在第一导电类型...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴宗宪,陈彦豪,
申请(专利权)人:苏州凤凰芯电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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