【技术实现步骤摘要】
具有阶梯形结构的JBS两级管器件结构及其制造方法
本专利技术涉及两级管器件
，具体地说是一种具有阶梯形结构的JBS（结势垒肖特基）两级管器件结构及其制造方法。
技术介绍
处于第三代宽禁带半导体材料领域的碳化硅化合物，由于其独特的耐高压，耐高温，高热传导系数，非常适合高压大功率器件市场应用。2001年全球第一颗600V碳化硅肖特基两级管SBD（SchottkyBarrierDiode，肖特基势垒两级管）正式商用化之后，碳化硅肖特基两级管器件优异的电参数特性，已经给功率因数改善（powerfactorcorrection），光伏逆变器，交流到直流电源转换电路，新能源汽车等领域带来了全新的终端应用。但是第一代平面碳化硅肖特基两级管有两个主要问题，第一个问题是碳化硅肖特基两级管器件表面电场强度大约是硅材料器件的8到10倍，在高温反偏电压操作时，肖特基金属层和碳化硅材料接触面之间的隧道（tunneling）效应和纳米洞（nanopit）缺陷都会扩大漏电电流，造成对器件可靠性的疑虑；第二个问题是第一代的平面碳化硅肖特基两级管由于芯...
【技术保护点】
1.一种具有阶梯形结构的JBS两级管器件结构，包括平面型肖特基金属区和氧化层保护区，平面型肖特基金属区位于器件的中心区；所述平面型肖特基金属区包括半导体基板，半导体基板包括第一导电类型重掺杂衬底（1）及位于第一导电类型重掺杂衬底（1）的上表面的第一导电类型外延层（2），其特征是：在第一导电类型外延层（2）的上表面内设有呈阶梯形结构的第二导电类型体区（3），第二导电类型体区（3）的宽度从下往上呈逐层增大设置，每个第二导电类型体区（3）均由第二导电类型材料（4）构成，在第一导电类型外延层（2）与第二导电类型体区（3）的上表面设有氧化层（5）与肖特基金属层（6），氧化层（5）包围...
【技术特征摘要】
1.一种具有阶梯形结构的JBS两级管器件结构，包括平面型肖特基金属区和氧化层保护区，平面型肖特基金属区位于器件的中心区；所述平面型肖特基金属区包括半导体基板，半导体基板包括第一导电类型重掺杂衬底（1）及位于第一导电类型重掺杂衬底（1）的上表面的第一导电类型外延层（2），其特征是：在第一导电类型外延层（2）的上表面内设有呈阶梯形结构的第二导电类型体区（3），第二导电类型体区（3）的宽度从下往上呈逐层增大设置，每个第二导电类型体区（3）均由第二导电类型材料（4）构成，在第一导电类型外延层（2）与第二导电类型体区（3）的上表面设有氧化层（5）与肖特基金属层（6），氧化层（5）包围肖特基金属层（6），在肖特基金属层（6）和氧化层（5）的左端结合界面下方以及右端结合界面下方均设有一个第二导电类型体区（3），在肖特基金属层（6）和氧化层（5）的左右两端结合界面之间还至少设有一个第二导电类型体区（3），在第一导电类型重掺杂衬底（1）的下表面设有欧姆金属层（7）；所述肖特基金属层（6）作为器件的阳极，欧姆金属层（7）作为器件的阴极。
2.根据权利要求1所述的具有阶梯形结构的JBS两级管器件结构，其特征是：所述第一导电类型重掺杂衬底（1）与第一导电类型外延层（2）为N型导电，第二导电类型体区（3）与第二导电类型材料（4）为P型导电材料。
3.根据权利要求1所述的具有阶梯形结构的JBS两级管器件结构，其特征是：所述肖特基金属层（6）为平面型，且肖特基金属层（6）的厚度为100–1000Å。
4.根据权利要求1所述的具有阶梯形结构的JBS两级管器件结构，其特征是：所述氧化层（5）位于芯片周围，包围并且保护第一导电类型外延层（2）和位于器件中间的肖特基金属层（6）。
5.根据权利要求1所述的具有阶梯形结构的JBS两级管器件结构，其特征是：位于最左侧和最右侧的第二导电类型体区（3）作为保护器件的终端外环。
6.根据权利要求1所述的具有阶梯形结构的JBS两级管器件结构，其特征是：所述第一导电类型重掺杂衬...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦豪，
申请(专利权)人：苏州凤凰芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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