GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片及其生产方法技术

本发明专利技术提供了一种GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片及其生产方法，包括：N++层4、P+层5和P++层6；所述P++层6的上表面包括平面部分和沿所述平面部分的边缘环绕设置的腐蚀沟槽1；所述P+层5设置于所述P++层6的上侧，所述N++层4设置于所述P+层5的上侧；所述N++层4的侧面、所述P+层5的侧面以及所述腐蚀沟槽1内设置有钝化玻璃2。采用P+衬底，由于P+衬底均一性更佳，产品VB更加均匀，符合瞬间电压抑制二极管特性。采用倒梯形沟槽形状，避免了光刻胶掩膜的鸟嘴形状，提高电泳玻璃的均一性，减少尖端放电的风险。

【技术实现步骤摘要】
GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片及其生产方法
本专利技术涉及电子元器件领域，具体地，涉及一种GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片及其生产方法。
技术介绍
Gpp(Glassivationpassivationparts，玻璃钝化元件)，玻璃钝化工艺由于具有较高的可靠性和稳定性,被广泛应用在高反压大功率二极管的台面钝化。专利文献CN203150557U公开了一种汽车模组中反向GPP高压二极管芯片，该反向GPP高压二极管芯片结构为P++-P+-N-N+型；反向GPP高压二极管芯的正面截层结构依次为腐蚀沟槽，钝化玻璃，金属层；反向GPP高压二极管芯的剖面截层结构结构依次为腐蚀沟槽，钝化玻璃，金属层，N+区，基区N，P+区，高浓度P++区。传统GPP单向瞬间电压抑制二极管一般采用N+为衬底，导致击穿电压VB均一性差；同时，在挖槽过程中容易造成光刻胶掩膜的鸟嘴形状，降低了电泳玻璃的均一性，存在尖端放电的风险。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供一种GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片及其生产方法。...

【技术保护点】
1.一种GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片，其特征在于，包括：N++层(4)、P+层(5)和P++层(6)；/n所述P++层(6)的上表面包括平面部分和沿所述平面部分的边缘环绕设置的腐蚀沟槽(1)；/n所述P+层(5)设置于所述P++层(6)的上侧，所述N++层(4)设置于所述P+层(5)的上侧；/n所述N++层(4)的侧面、所述P+层(5)的侧面以及所述腐蚀沟槽(1)内设置有钝化玻璃(2)。/n

【技术特征摘要】
1.一种GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片，其特征在于，包括：N++层(4)、P+层(5)和P++层(6)；
所述P++层(6)的上表面包括平面部分和沿所述平面部分的边缘环绕设置的腐蚀沟槽(1)；
所述P+层(5)设置于所述P++层(6)的上侧，所述N++层(4)设置于所述P+层(5)的上侧；
所述N++层(4)的侧面、所述P+层(5)的侧面以及所述腐蚀沟槽(1)内设置有钝化玻璃(2)。


2.根据权利要求1所述的GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片，其特征在于，所述腐蚀沟槽(1)呈半个倒梯形。


3.根据权利要求1所述的GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片，其特征在于，所述平面部分的的宽度与所述所述N++层(4)、所述P+层(5)的宽度相同。


4.根据权利要求1所述的GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片，其特征在于，所述所述N++层(4)的侧面的钝化玻璃(2)的高度高于所述N++层(4)的上表面。


5.根据权利要求1所述的GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片，其特征在于，所述所述N++层(4)的上表面设置有第一金属层以及环绕所述第一金属层的边缘设置的二氧化硅层(7)。


6.根据权利要求5所述的GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片，其特征在于，所述N++层(4)的侧面的钝化玻璃(2)的高度高于所述N++层(4)的上表面，且覆盖在所述N++层(4)的上表面边缘，与所述二氧化硅层(7)连接。


7.根据权利要求1所述的GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片，其特征在于，所述P++层(6)的下表面设置有第二金属层。


8.根据权利要求1所述的GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片，其特征在于，所述腐蚀沟槽(1)的深度为80±3微米。


9.根据权利要求1所述的GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片，其特征在于，所述腐蚀沟槽(1)的最宽处宽度为280±10微米。

【专利技术属性】
技术研发人员：王军明，盛锋，李晖，
申请(专利权)人：上海瞬雷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31