一种具有多沟槽的LIGBT器件制造技术

本发明专利技术涉及一种具有多沟槽的LIGBT器件，属于功率半导体技术领域。本发明专利技术提供的一种具有多沟槽的LIGBT器件，通过沟槽刻蚀和高温退火扩散，改善阳极下方第二导电类型半导体重掺杂扩散区形貌，节省了区域面积，同时实现了该区域的均匀掺杂，从而使电导调制效应加强，且获得更低的导通压降、导通电阻和正向导通功耗；通过在第一导电类型漂移区中形成第二导电类型多晶硅沟槽区，可以实现更优的电场分布，从而获得更好的阻断特性以及面积优化。

【技术实现步骤摘要】
一种具有多沟槽的LIGBT器件
本专利技术属于功率半导体
，具体涉及一种具有多沟槽的LIGBT器件。
技术介绍
随着社会的发展和科技的进步，人类对高性能功率器件的需求也与日俱增，绝缘栅双极晶体管IGBT(InsulatorGateBipolarTransistor)是双极型晶体管与MOS管相结合的复合型功率器件，在开态情况时，功率MOS的电流经过BJT可以被放大，大电流情况时，器件总电流也能由于BJT器件的电导调制效应降低漂移区电阻而得到提高，因此IGBT具有MOS栅器件高输入阻抗和BJT器件电导调制的双重特点，很好地折中了器件的通态电流和开关时间，成为了新型功率器件的典型代表。相比于纵向结构，LIGBT(LateralIGBT)更易于集成在硅基上，并且LIGBT器件所有电极都处于同一表面，故不需要背刻工艺，从而生产难度和成本也有所降低，成为推动单片集成功率系统芯片发展的核心功率器件之一，被广泛应用于变频家电、工业生产和电力系统等领域。然而，如图1所示，现有的LIGBT器件存在高耐压和小面积的矛盾，制约了其击穿电压的提高。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有多沟槽的LIGBT器件，其特征在于，包括第二导电类型衬底(201)，第一导电类型漂移区(202)，第二导电类型体区(203)，第二导电类型重掺杂区(204)，第一导电类型重掺杂区(205)，第二导电类型重掺杂扩散区(206)，第二导电类型多晶硅重掺杂沟槽区(213)，第二导电类型多晶硅沟槽区(212)，隔离介质层(208)，阴极电极(209)，平面栅结构和阳极电极(211)；/n所述第一导电类型漂移区(202)位于所述第二导电类型衬底(201)上；所述第二导电类型体区(203)位于所述第一导电类型漂移区(202)中，且位于所述第二导电类型衬底(201)上；所述第二导电类型重掺杂区(...

【技术特征摘要】
1.一种具有多沟槽的LIGBT器件，其特征在于，包括第二导电类型衬底(201)，第一导电类型漂移区(202)，第二导电类型体区(203)，第二导电类型重掺杂区(204)，第一导电类型重掺杂区(205)，第二导电类型重掺杂扩散区(206)，第二导电类型多晶硅重掺杂沟槽区(213)，第二导电类型多晶硅沟槽区(212)，隔离介质层(208)，阴极电极(209)，平面栅结构和阳极电极(211)；
所述第一导电类型漂移区(202)位于所述第二导电类型衬底(201)上；所述第二导电类型体区(203)位于所述第一导电类型漂移区(202)中，且位于所述第二导电类型衬底(201)上；所述第二导电类型重掺杂区(204)和第一导电类型重掺杂区(205)侧面相互接触的位于所述第二导电类型体区(203)的顶层一侧；
所述第二导电类型重掺杂扩散区(206)位于所述第一导电类型漂移区(202)的顶层中远离所述第二导电类型体区(203)的一侧，多个所述第二导电类型多晶硅重掺杂沟槽区(213)相互间隔的位于所述第二导电类型重掺杂扩散区(206)的顶层，所述第二导电类型重掺杂扩散区(206)由第二导电类型多晶硅重掺杂沟槽区(213)扩散形成；
多个所述第二导电类型多晶硅沟槽区(212)相互间隔的位于所述第一导电类型漂移区(202)的顶层，且位于所述第二导电类型体区(203)和所述第二导电类型重掺杂扩散区(206)之间；
所述阴极电极(209)位于所述第二导电类型重掺杂区(204)和所述第一导电类型重掺杂区(205)的第一部分上；所述平面栅结构位于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泽宏，王志明，程然，蒲小庆，胡汶金，任敏，张金平，高巍，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51