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本发明涉及一种具有多沟槽的LIGBT器件，属于功率半导体技术领域。本发明提供的一种具有多沟槽的LIGBT器件，通过沟槽刻蚀和高温退火扩散，改善阳极下方第二导电类型半导体重掺杂扩散区形貌，节省了区域面积，同时实现了该区域的均匀掺杂，从而使电导...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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