【技术实现步骤摘要】
一种新型半导体芯片、制备方法及应用电路
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种新型半导体芯片、制备方法及应用电路。
技术介绍
在电源领域有一类是直流转换为直流(DC/DC)，这类电路广泛应用于采用电池供电的场合，目的是把电池电压通过DC/DC转换为适合负载的直流电压。在二轮电动车充电应用中，功率型的非隔离型DC/DC成为二轮电动车的主流方案，但是每年曝光的二轮电动车自燃事件中经分析有一定比例就是非隔离型DC/DC开关管击穿造成的，另外根据调查获取的数据，凡是非隔离型DC/DC中由于开关管击穿造成的失效几乎都会伴随输出负载烧毁的记录。针对以上情况，实有必要提供一种改进型的技术方案。
技术实现思路
鉴于以上存在的技术问题，本专利技术用于提供一种新型半导体芯片、制备方法及应用电路。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下的技术方案：本专利技术实施例的一个方面在于提供一种新型半导体芯片，包括：N型衬底，电阻率为0.2-0.3Ω/cm；设置在N型衬底两侧的N型扩散层...
【技术保护点】
1.一种新型半导体芯片，其特征在于，包括：/nN型衬底，电阻率为0.2-0.3Ω/cm；/n设置在N型衬底两侧的N型扩散层，结深为60～100μm，方块电阻为800～1500Ω/□；/n设置在N型扩散层中的P型扩散层，扩散结深为25～30μm，方块电阻为40～50Ω/□；/n在正面的P型扩散层上设置若干个N型扩散层，扩散结深为10～12μm，方块电阻0.6～0.8Ω/□；/n在围绕外围的N型扩散层上设置SiO2掩蔽层，厚度为2.5～3.0μm；/n在正面的N型扩散层设置正面金属层，材料为Al-Ti-Ni-Ag，厚度3.5～4.0μm；/n在背面的N型扩散层设置背面金属层，材...
【技术特征摘要】
1.一种新型半导体芯片，其特征在于，包括：
N型衬底，电阻率为0.2-0.3Ω/cm；
设置在N型衬底两侧的N型扩散层，结深为60～100μm，方块电阻为800～1500Ω/□；
设置在N型扩散层中的P型扩散层，扩散结深为25～30μm，方块电阻为40～50Ω/□；
在正面的P型扩散层上设置若干个N型扩散层，扩散结深为10～12μm，方块电阻0.6～0.8Ω/□；
在围绕外围的N型扩散层上设置SiO2掩蔽层，厚度为2.5～3.0μm；
在正面的N型扩散层设置正面金属层，材料为Al-Ti-Ni-Ag，厚度3.5～4.0μm；
在背面的N型扩散层设置背面金属层，材料为Al-Ti-Ni-Ag，厚度3.5～4.0μm，由此形成NPNP型半导体结构。
2.如权利要求1所述的新型半导体芯片，其特征在于，选择不同电阻率的N型衬底材料，结合对N型扩散层的扩散浓度和深度的控制，用于对该器件进入保护动作后的导通压降进行定量控制。
3.如权利要求2所述的新型半导体芯片，其特征在于，N型衬底材料电阻率0.20～0.25时，N型扩散层的扩散深度为80～100微米。
4.如权利要求2所述的新型半导体芯片，其特征在于，N型衬底材料电阻率为0.26～0.30时，N型扩散层的扩散深度为60～80微米。
5.一种新型半导体芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10，选择N型衬底材料，片厚300μm，衬底电阻率为0.2～0.3Ω/cm；
S20，清洗，生长氧化层，厚度为2μm；
S30，在N型衬底两侧进行N型扩散，结深60～100μm，方块电阻800～1500Ω/□；
S40，在N型扩散层中光刻P型扩散层，结深25～30μm，方块电阻40～50Ω/□；
S50，在正面的P型扩散层上光刻若干个N型扩散层，采用磷扩散，扩散温度为1145-1155℃，扩散时间为260-300min，结深10～12μm，方块电阻0.6～0.8Ω/□；
S60，刻蚀引线孔，表面金属化，材料为Al-Ti-Ni-Ag，厚度为3.5～4.0μm；
S70，背面金属化，材料为Al-Ti-Ni...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙林弟，王海滨，林旭帆，金东，金燕，
申请(专利权)人：浙江明德微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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