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本发明公开了一种新型半导体芯片、制备方法及应用电路，其中一种新型半导体芯片，包括：N型衬底，电阻率为0.2‑0.3Ω/cm；设置在N型衬底两侧的N型扩散层，结深为60～100μm，方块电阻为800～1500Ω/□；设置在N型扩散层中的P型扩...
该专利属于浙江明德微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江明德微电子股份有限公司授权不得商用。

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