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本发明提供了一种GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片及其生产方法，包括：N++层4、P+层5和P++层6；所述P++层6的上表面包括平面部分和沿所述平面部分的边缘环绕设置的腐蚀沟槽1；所述P+层5设置于所述P++层6的上侧，所述N++层4设置于...
该专利属于上海瞬雷科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海瞬雷科技有限公司授权不得商用。

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