一种低压铝栅器件制造技术

本实用新型专利技术适用于半导体制造工艺技术领域，提供了一种低压铝栅器件，其中，包括：在已生成所述源极、漏极、栅极及引线接触孔的所述MOS器件上沉淀金属，形成第一金属布线层；在所述第一金属布线层上沉淀隔离保护层；在所述隔离保护层上沉淀第二金属PAD层并刻蚀，得到打线PAD。本实用新型专利技术实施例能够缩小芯片面积、降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种低压铝栅器件
本技术涉及半导体制造工艺
，尤其涉及一种低压铝栅器件。
技术介绍
在集成电路工艺发展到深亚微米的今天，低压铝栅工艺依然没有被市场抛弃，是依靠其成本低廉、性价比高以及工艺简单的优势。但是在此工艺的基础上如何缩小芯片尺寸，从而降低其成本，使得现有的产品在市场更具有竞争力，一直被所有电子企业所关注。为了缩小芯片尺寸，近年来众多企业一直把注意力及研发方向放在了如何缩小沟道尺寸，金属布线的宽度及接触孔的尺寸这些地方。但在芯片中占有最大面积的部分是用于打线的PAD(密封在电路板中的芯片管脚)，由此可见，不管如何缩小其它地方的尺寸，其芯片面积依然很大。可见，现有技术中，存在芯片面积大、成本高的问题。
技术实现思路
本技术实施例提供一种低压铝栅器件，旨在解决芯片面积大、成本高的问题。一种低压铝栅器件，包括：在已生成所述源极、漏极、栅极及引线接触孔的所述MOS器件上沉淀金属，形成第一金属布线层；在所述第一金属布线层上沉淀隔离保护层；在所述隔离保护层上沉淀第二金属PAD层并刻蚀，得到打线PAD。...

【技术保护点】
1.一种低压铝栅器件，其特征在于，包括：/n在已生成源极、漏极、栅极及引线接触孔的MOS器件上沉淀金属，形成第一金属布线层；/n在所述第一金属布线层上沉淀隔离保护层；/n在所述隔离保护层上沉淀第二金属PAD层并刻蚀，得到打线PAD。/n

【技术特征摘要】
1.一种低压铝栅器件，其特征在于，包括：
在已生成源极、漏极、栅极及引线接触孔的MOS器件上沉淀金属，形成第一金属布线层；
在所述第一金属布线层上沉淀隔离保护层；
在所述隔离保护层上沉淀第二金属PAD层并刻蚀，得到打线PAD。


2.如权利要求1所述的低压铝栅器件，其特征在于，所述第一金属布线层的金属厚度为0.5um-0.7um。


3.如权利要求1所述的低压铝栅器件，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：何伟业，李炜，
申请(专利权)人：深圳市芯域联合半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44