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本实用新型适用于半导体制造工艺技术领域，提供了一种低压铝栅器件，其中，包括：在已生成所述源极、漏极、栅极及引线接触孔的所述MOS器件上沉淀金属，形成第一金属布线层；在所述第一金属布线层上沉淀隔离保护层；在所述隔离保护层上沉淀第二金属PAD层...
该专利属于深圳市芯域联合半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市芯域联合半导体科技有限公司授权不得商用。

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