本实用新型涉及一种沟槽碳化硅JBS两级管器件结构，包括第一导电类型重掺杂碳化硅衬底与碳化硅外延体区、第二导电类型体区与材料、沟槽、肖特基金属层与欧姆金属层；第一导电类型碳化硅外延体区的上表层设有多个沟槽，在沟槽的侧面、底面以及第一导电类...

本实用新型涉及一种具有抗突波能力的碳化硅两级管器件，包括第一导电类型重掺杂碳化硅衬底、第一导电类型碳化硅外延体区、阶梯型沟槽、第二导电类型体区、肖特基金属层与欧姆金属层；在第一导电类型碳化硅外延体区的上表层开设有多个阶梯型沟槽，且在从下...

本实用新型涉及一种阶梯型沟槽碳化硅JBS两级管器件结构，包括第一导电类型重掺杂碳化硅衬底、第一导电类型碳化硅外延体区、第二导电类型体区、第二导电类型材料、阶梯型沟槽、肖特基金属层与欧姆金属层；在第一导电类型碳化硅外延体区的上表面开设有阶...

本实用新型涉及一种具有阶梯形结构的JBS两级管器件结构，在第一导电类型重掺杂衬底上设第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层上表面内设呈阶梯形结构的第二导电类型体区，第二导电类型体区的宽度从下往上呈逐层增大设置，在第一导电类型外延层与第...

本实用新型涉及一种具有阶梯环结构的肖特基两级管，包括第一导电类型重掺杂衬底及第一导电类型外延层，第一导电类型外延层的上表面设有肖特基金属层，在第一导电类型重掺杂衬底的下表面连接有欧姆金属层；在第一导电类型外延层的上表面且与肖特基金属层邻...

本发明涉及一种具有抗突波能力的碳化硅两级管器件及其制造方法，包括第一导电类型重掺杂碳化硅衬底、第一导电类型碳化硅外延体区、阶梯型沟槽、第二导电类型体区、肖特基金属层与欧姆金属层；在第一导电类型碳化硅外延体区的上表层开设有多个阶梯型沟槽，...

本发明涉及一种阶梯型沟槽碳化硅JBS两级管器件结构及其制造方法，包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型碳化硅外延体区、第二导电类型体区、第二导电类型材料、阶梯型沟槽、肖特基金属与欧姆金属层；在第一导电类型碳化硅外延体区的上表面开设有阶...

本发明涉及一种沟槽碳化硅JBS两级管器件结构及其制造方法，包括第一导电类型重掺杂衬底与碳化硅外延体区、第二导电类型体区与材料、沟槽、肖特基金属层与欧姆金属层；第一导电类型碳化硅外延体区的上表层设有多个沟槽，在沟槽的侧面、底面以及第一导电...

本发明涉及一种具有阶梯形结构的JBS两级管器件结构及其制造方法，在第一导电类型重掺杂衬底上设第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层上表面内设呈阶梯形结构的第二导电类型体区，第二导电类型体区的宽度从下往上呈逐层增大设置，在第一导电类型外...

本发明涉及一种具有阶梯环结构的肖特基两级管及其制造方法，包括第一导电类型重掺杂衬底及第一导电类型外延层，第一导电类型外延层的上表面设有肖特基金属层，在第一导电类型重掺杂衬底的下表面连接有欧姆金属层；在第一导电类型外延层的上表面且与肖特基...

本实用新型涉及一种具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构，包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层、元胞沟槽、栅氧化层、屏蔽栅槽、屏蔽栅、第一间隔氧化层、栅极槽、栅氧化层、栅极导电多晶硅、终端沟槽、场氧化层、下层终端场板槽、下...

本实用新型涉及一种能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构，它包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层、第二导电类型上体区、第一导电类型源极区、绝缘介质层、源极金属层、源极接触孔、源极接触金属、第二导电类型下体区、栅氧化层、栅极导电多...

本实用新型涉及具有屏蔽栅的SJ MOS器件终端结构，它包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层、氧化层、屏蔽栅、栅极导电多晶硅、第二导电类型外延体、第一导电类型源极区、源极接触金属、绝缘介质层、源极金属层、场氧层、下层终端场板和上...

本实用新型涉及一种结合屏蔽栅的SJ MOS器件结构，它包括元胞区和终端保护区；元胞区由若干个MOS器件单元体并联而成；MOS器件单元体包括半导体基板，半导体基板包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层、氧化层沟槽、氧化层、屏蔽栅、...

本发明涉及具有屏蔽栅的SJ MOS器件终端结构及其制作方法，它包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层、氧化层、屏蔽栅、栅极导电多晶硅、第二导电类型外延体、第一导电类型源极区、源极接触金属、绝缘介质层、源极金属层、场氧层、下层终端...

本发明涉及一种能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构及其制作方法，它包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层、第二导电类型上体区、第一导电类型源极区、绝缘介质层、源极金属层、源极接触孔、源极接触金属、第二导电类型下体区、栅氧化层、栅...

本发明涉及一种结合屏蔽栅的SJ MOS器件结构及其制作方法，它包括元胞区和终端保护区；元胞区由若干个MOS器件单元体并联而成；MOS器件单元体包括半导体基板，半导体基板包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层、氧化层沟槽、氧化层、...

本发明涉及一种具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构及制作方法，包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层、元胞沟槽、栅氧化层、屏蔽栅槽、屏蔽栅、第一间隔氧化层、栅极槽、栅氧化层、栅极导电多晶硅、终端沟槽、场氧化层、下层终端场板...

本实用新型提出一种具有渐变深槽的屏蔽栅MOS结构，其特征在于，所述沟槽的形状为倒梯形，且分为上下两部分，上部分包括倒梯形栅极导电多晶硅和位于倒梯形栅极导电多晶硅两侧的栅氧化层，下部分包括厚氧化层及厚氧化层包裹的倒梯形屏蔽栅；本实用新型提...

本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种IGBT器件背面制作方法，在IGBT 器件的正面，通过注入及高温退火来完成背面工艺；通过本发明制作方法可有效改善器件工艺加工难度，降低碎片率，同时降低器件参数Vce，且本发明制作工艺与现有IG...