本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种RC‑IGBT器件背面制作方法，在RC‑IGBT器件的正面，通过注入及高温退火来完成背面工艺；通过本发明制作方法可有效改善器件工艺加工难度，降低碎片率，同时改善器件参数Vce，且本发明制作工艺...

本实用新型提出一种具有渐变氧化层的屏蔽栅MOS结构，其特征在于，在所述第一导电类型外延层的沟槽分为上下两部分，上部分包括栅极导电多晶硅和位于栅极导电多晶硅两侧的栅氧化层，下部分包括渐变氧化层及渐变氧化层包裹的屏蔽栅；本实用新型提出的屏蔽...

本实用新型提出一种具有阶梯形氧化层的屏蔽栅MOS结构，其特征在于，所述沟槽分为上下两部分，上部分包括栅极导电多晶硅和位于栅极导电多晶硅两侧的栅氧化层，下部分包括阶梯形氧化层及阶梯形氧化层包裹的屏蔽栅；本实用新型提出的屏蔽栅MOS结构，屏...

本发明提出一种具有渐变深槽的屏蔽栅MOS结构，其特征在于，所述沟槽的形状为倒梯形，且分为上下两部分，上部分包括倒梯形栅极导电多晶硅和位于倒梯形栅极导电多晶硅两侧的栅氧化层，下部分包括厚氧化层及厚氧化层包裹的倒梯形屏蔽栅；本发明提出的屏蔽...

本发明提出一种具有阶梯形氧化层的屏蔽栅MOS结构，其特征在于，所述沟槽分为上下两部分，上部分包括栅极导电多晶硅和位于栅极导电多晶硅两侧的栅氧化层，下部分包括阶梯形氧化层及阶梯形氧化层包裹的屏蔽栅；本发明提出的屏蔽栅MOS结构，屏蔽栅两侧...

本发明提出一种具有渐变氧化层的屏蔽栅MOS结构，其特征在于，在所述第一导电类型外延层的沟槽分为上下两部分，上部分包括栅极导电多晶硅和位于栅极导电多晶硅两侧的栅氧化层，下部分包括渐变氧化层及渐变氧化层包裹的屏蔽栅；本发明提出的屏蔽栅MOS...