一种局部凹槽结构的AlGaN/GaN HEMT器件制造技术

本发明专利技术公开了一种局部凹槽结构的AlGaN/GaN HEMT器件，包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、势垒层和钝化层，势垒层上表面且位于钝化层左右两端分别设置有源极和漏极，势垒层上表面且位于钝化层中部设置有栅极；势垒层上设置有凹槽结构。缓冲层由厚度为2μm的GaN组成，摻杂浓度为1×10

【技术实现步骤摘要】
一种局部凹槽结构的AlGaN/GaNHEMT器件
本专利技术属于高电子迁移率晶体管
，涉及一种局部凹槽结构的AlGaN/GaNHEMT器件。
技术介绍
在各种电子材料和器件技术中，GaN材料具有宽禁带、高电子迁移率、高饱和速度和高击穿电场等优异的材料特性，GaN高电子迁移率晶体管(HighElectronMobilityTransistors，HEMT)在高频高压高温领域取得了重大进展。虽然GaNHEMT器件表现出非常优越的性能，但在稳定性和可靠性等方面的问题仍限制着GaN基器件的广泛应用，其中由陷阱效应导致的电流崩塌对器件性能影响较为严重。电流崩塌效应产生的原因，一般认为有两个因素：其一是表面陷阱在器件工作过程中俘获电子，在表面形成一定的电势，影响沟道中的耗尽层，从而导致漏极电流的减小，即所谓的“虚栅”效应；另一个因素是由于缓冲层陷阱俘获沟道热电子导致的。对于表面陷阱的影响，采用表面钝化技术或场板结构可以使其有效降低，而对于缓冲层陷阱，尤其是缓冲层深能级陷阱对电流崩塌的影响仍得不到很好的解决，因为这些陷阱可以抑制缓冲层泄漏电流以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种局部凹槽结构的AlGaN/GaN HEMT器件，其特征在于，包括自下而上依次设置的衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(3)和钝化层(4)，所述势垒层(3)上表面且位于所述钝化层(4)左右两端分别设置有源极(6)和漏极(7)，所述势垒层(3)上表面且位于所述钝化层(4)中部设置有栅极(5)；所述势垒层(3)上且位于所述栅极(5)和所述漏极(7)之间设置有凹槽结构(8)。/n

【技术特征摘要】
1.一种局部凹槽结构的AlGaN/GaNHEMT器件，其特征在于，包括自下而上依次设置的衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(3)和钝化层(4)，所述势垒层(3)上表面且位于所述钝化层(4)左右两端分别设置有源极(6)和漏极(7)，所述势垒层(3)上表面且位于所述钝化层(4)中部设置有栅极(5)；所述势垒层(3)上且位于所述栅极(5)和所述漏极(7)之间设置有凹槽结构(8)。


2.根据权利要求1所述的一种局部凹槽结构的AlGaN/GaNHEMT器件，其特征在于，所述缓冲层(2)由厚度为2μm的GaN组成，摻杂浓度为1×1015cm-3。


3.根据权利要求1所述的一种局部凹槽结构的AlGaN/GaNHEMT器件，其特征在于，所述势垒层(3)由厚度为0.02μm的AlGaN组成，摻杂浓度为1×1017cm-3。...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘静，王琳倩，黄忠孝，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61