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本发明公开了一种局部凹槽结构的AlGaN/GaN HEMT器件，包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、势垒层和钝化层，势垒层上表面且位于钝化层左右两端分别设置有源极和漏极，势垒层上表面且位于钝化层中部设置有栅极；势垒层上设置有凹槽结构。缓冲层...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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