基于场效应晶体管的驱动电路及系统技术方案

本实用新型专利技术提供了一种基于场效应晶体管的驱动电路及系统；该驱动电路的输入端与驱动芯片连接；驱动电路的输出端与待驱动装置连接；驱动电路包括多个并联的驱动模块；驱动模块包括场效应晶体管及相移电路；多个驱动模块中的相移电路的时间常数相同；当接收驱动芯片的输入信号后，在相移电路的时间常数对应的震荡时间后同时导通各个驱动电路的场效应晶体管，向待驱动装置输出驱动信号。本实用新型专利技术实现了多个MOS管同时导通，降低了高频情况下驱动电路上的尖峰震荡。

Drive circuit and system based on FET

【技术实现步骤摘要】
基于场效应晶体管的驱动电路及系统
本技术涉及电子电工
，尤其是涉及一种基于场效应晶体管的驱动电路及系统。
技术介绍
功率开关器件的驱动电路是主电路与控制电路之间的接口，是电力电子安装的重要局部，其作用是将控制回路输出的控制脉冲放大到足以驱动功率开关器件。驱动电路的根本任务就是将控制电路传来的信号，转换为加在器件控制端和公共端之间的能够使其导通和关断的信号。目前，针对大功率产品的驱动电路多采用多个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS管)并联来分担大电流，实现驱动功能；然而，实际上多个MOS管并联后，由于每个MOS管的结电荷性能差异,造成离驱动源近的MOS管驱动时间短，离驱动源较远的MOS管驱动开通时间长，导致开关特性受到影响，造成尖峰震荡。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种基于场效应晶体管的驱动电路及系统，以实现多个MOS管同时导通，降低高频情况下驱动电路上的尖峰震荡。第一方面，本技术实施例提供了一种基于场效应晶体管的驱动电路，该驱动电路的输入端与驱动芯片连接；驱动电路的输出端与待驱动装置连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于场效应晶体管的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路的输入端与驱动芯片连接；所述驱动电路的输出端与待驱动装置连接；所述驱动电路包括多个并联的驱动模块；所述驱动模块包括场效应晶体管及相移电路；多个所述驱动模块中的相移电路的时间常数相同；/n所述相移电路用于接收所述驱动芯片的输入信号，在所述时间常数对应的震荡时间后同时导通各个所述驱动电路的所述场效应晶体管，向所述待驱动装置输出驱动信号。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于场效应晶体管的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路的输入端与驱动芯片连接；所述驱动电路的输出端与待驱动装置连接；所述驱动电路包括多个并联的驱动模块；所述驱动模块包括场效应晶体管及相移电路；多个所述驱动模块中的相移电路的时间常数相同；
所述相移电路用于接收所述驱动芯片的输入信号，在所述时间常数对应的震荡时间后同时导通各个所述驱动电路的所述场效应晶体管，向所述待驱动装置输出驱动信号。


2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述相移电路包括匹配电阻及匹配电容。


3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，还包括连接线；所述连接线用于连接所述驱动芯片、所述相移电路、所述场效应晶体管及所述待驱动装置。


4.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，所述连接线包括多条子连接线；在每个所述驱动模块中，所述匹配电阻包括所述子连接线的等效电阻和实际电阻。


5.根据权利要求4所述的驱...

【专利技术属性】
技术研发人员：周洁，马丰民，汤尧，
申请(专利权)人：北京英博电气股份有限公司，廊坊英博电气有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11