芯片封装结构的形成方法技术

提供芯片封装结构的形成方法。此方法包含设置芯片于重布线结构之上。此方法包含形成模塑层于重布线结构之上且相邻芯片。此方法包含部分移除模塑层以形成沟槽于模塑层中，且沟槽与芯片隔开。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构的形成方法
本专利技术实施例涉及芯片封装结构及其形成方法，特别涉及具有模塑层的芯片封装结构。
技术介绍
半导体装置用于各种不同的电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机、以及其他电子设备。半导体装置的制造通常是通过按序沉积绝缘层或介电层、导线层、以及半导体层于半导体基底之上，并且使用光刻工艺和蚀刻工艺图案化各种不同的材料层，以形成电路组件和元件于其上。通常在半导体晶圆上制造许多集成电路，可将半导体晶圆切割(singulate)为多颗晶粒(die)，并且可封装晶粒。各种用于封装的技术正持续发展中。
技术实现思路
本专利技术实施例提供芯片封装结构的形成方法。此方法包含设置芯片于重布线结构之上、形成模塑层于重布线结构之上且相邻芯片、以及部分移除模塑层以形成沟槽于模塑层中。沟槽与芯片隔开。本专利技术实施例提供芯片封装结构的形成方法。此方法包含设置第一芯片和第二芯片于重布线结构之上。重布线结构包含绝缘层和线路层，线路层位于绝缘层中且电性连接至第一芯片和第二芯片。此方法包含形成模塑层于重布线结构之上。模塑层围绕第一芯片和第二芯片。此方法包含形成第一沟槽于模塑层中且介于第一芯片与第二芯片之间。第一沟槽与第一芯片和第二芯片隔开。本专利技术实施例提供芯片封装结构。此芯片封装结构包含重布线结构、第一芯片、模塑层、以及散热层。第一芯片位于重布线结构之上。模塑层位于重布线结构之上且围绕第一芯片。散热层位于第一芯片和模塑层之上。散热层的第一部分延伸至模塑层中，并且散热层的第一导热系数大于模塑层的第二导热系数。附图说明通过以下的详细描述配合说明书附图，可以更加理解本专利技术实施例的内容。需强调的是，根据产业上的标准惯例，许多部件(feature)并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意地增加或减少。图1A至图1L是根据一些实施例的形成芯片封装结构的工艺在各个阶段的剖面示意图。图1E-1是根据一些实施例的图1E的芯片封装结构的俯视图。图1E-2是根据一些实施例的图1E的芯片封装结构的俯视图。图1E-3是根据一些实施例的图1E的芯片封装结构的俯视图。图1K-1是根据一些实施例的图1K的芯片封装结构的俯视图。图1L-1是根据一些实施例的图1L的芯片封装结构的俯视图。图2是根据一些实施例显示芯片封装结构的剖面示意图。图3是根据一些实施例显示芯片封装结构的剖面示意图。图4是根据一些实施例显示芯片封装结构的剖面示意图。图5是根据一些实施例显示芯片封装结构的剖面示意图。图6是根据一些实施例显示芯片封装结构的剖面示意图。图7A至图7B是根据一些实施例的形成芯片封装结构的工艺在各个阶段的剖面示意图。图7A-1至图7B-1是根据一些实施例的图7A至图7B的芯片封装结构的俯视图。图8A是根据一些实施例的芯片封装结构的剖面示意图。图8B是根据一些实施例的图8A的芯片封装结构的俯视图。图9A至图9B是根据一些实施例的形成芯片封装结构的工艺在各个阶段的剖面示意图。图9A-1至图9B-1是根据一些实施例的图9A至图9B的芯片封装结构的俯视图。附图标记说明：100、200、300、500、600、700、800、900芯片封装结构110承载基板120重布线结构120a、120b表面121、123、125、127绝缘层121a、123a、125a、127a通孔122、128、134b导电垫124、126线路层130A、130B、130C、130D芯片132基底132a、B底面132b、162、163a、165a、166a顶面132c侧134装置层134a介电层136内连线层140、180导电凸块150底部密封层160模塑层167侧壁170胶带层163、164、165、166、P1、P2、192、194、196部分190散热层C盖层C1、C2预定切割线D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7距离DE1、DE2、DE3、DE4深度E1、E2、E3、E4边缘G1、G2、G3、G4间隙R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8沟槽T1、T2厚度W1、W2、W11、W22、W3、W4、W5、W6宽度具体实施方式以下内容提供了很多不同的实施例或范例，用于实现本专利技术实施例的不同部件。组件和配置的具体实施例或范例描述如下，以简化本专利技术实施例。当然，这些仅仅是范例，并非用以限定本专利技术实施例。举例来说，叙述中若提及第一部件形成于第二部件之上，可能包含形成第一和第二部件直接接触的实施例，也可能包含额外的部件形成于第一和第二部件之间，使得第一和第二部件不直接接触的实施例。为了简洁和明确起见，各种不同的部件可以不同尺寸任意示出。另外，本专利技术实施例可能在许多范例中重复元件符号及/或字母。这些重复是为了简化和清楚的目的，其本身并非代表所讨论各种实施例及/或配置之间有特定的关系。此外，此处可能使用空间上的相关用语，例如“在…之下”、“在…下方”、“下方的”、“在…上方”、“上方的”和其他类似的用语可用于此，以便描述如图所示的一元件或部件与其他元件或部件之间的关系。此空间上的相关用语除了包含附图示出的方位外，也包含使用或操作中的装置的不同方位。当装置被转至其他方位时(旋转90度或其他方位)，则在此所使用的空间相对描述可同样依旋转后的方位来解读。图1A至图1L是根据一些实施例的形成芯片封装结构的工艺在各个阶段的剖面示意图。根据一些实施例，提供承载基板110，如图1A所示。根据一些实施例，承载基板110配置为在后续处理步骤期间提供暂时的机械和结构支撑。根据一些实施例，承载基板110包含玻璃、硅、氧化硅、氧化铝、金属、前述的组合、及/或类似承载基板。根据一些实施例，承载基板110包含金属框。根据一些实施例，形成重布线(redistribution)结构120于承载基板110之上，如图1A所示。根据一些实施例，重布线结构120具有两个相对表面120a和120b。根据一些实施例，重布线结构120的厚度T1范围在约2纳米(nm)至约10纳米。形成重布线结构120包含形成绝缘层121于承载基板110之上；形成导电垫(pad)122于绝缘层121之上且于绝缘层121的通孔(throughhole)121a中；形成绝缘层123于绝缘层121和导电垫122之上；形成线路层124于绝缘层123之上且于绝缘层123的通孔123a中；形成绝缘层125于绝缘层123和线路层124之上；形成线路层126于绝缘层125之上且于绝缘层125的通孔125a中；形成绝缘层127于绝缘层125和线路层126之上；以及形成导电垫128于绝缘层127本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片封装结构的形成方法，包括：/n设置一芯片于一重布线结构之上；/n形成一模塑层于该重布线结构之上且相邻该芯片；以及/n部分移除该模塑层以形成一沟槽于该模塑层中，其中该沟槽与该芯片隔开。/n

【技术特征摘要】
20180627 US 62/690,412;20181126 US 16/199,5351.一种芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡柏豪，翁得期，周孟纬，林孟良，庄博尧，郑心圃，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71